ES1J 快恢复二极管 — 长晶科技（JSCJ）SMAG封装

在开关电源、逆变器、电机驱动等高频应用中，二极管的反向恢复特性直接影响系统效率与可靠性。ES1J作为长晶科技（JSCJ）推出的快恢复二极管，以35ns超快恢复时间、600V耐压和1A额定电流，成为高频高压场景的理想选择。

产品定位：超快恢复二极管

ES1J属于快恢复二极管（Fast Recovery Diode），其反向恢复时间（Trr）典型值为35ns，处于“快恢复”范畴。相比普通整流二极管（Trr通常>500ns），ES1J可在高频开关中迅速关断，显著减少反向恢复电流造成的开关损耗和电磁干扰（EMI）。

反向恢复时间（Trr）解析

反向恢复时间Trr是衡量二极管从正向导通切换到反向阻断速度的关键参数。ES1J的Trr=35ns，意味着它能在极短时间内清除存储电荷，实现快速关断。这在高频PWM电路中尤为重要：若Trr过长，二极管在开关切换瞬间会持续导通，导致桥臂直通、效率下降甚至元件过热。ES1J的35ns Trr能有效抑制反向恢复尖峰，提升系统稳定性。

高频开关电源应用

ES1J广泛应用于高频开关电源（SMPS）的次级整流、PFC升压电路及DC-DC转换器。在100kHz以上的开关频率下，ES1J的快恢复特性可降低整流损耗，使电源效率提升1-3%。同时，其600V耐压适配单相PFC电路（母线电压约400V），留有充足安全余量。

与肖特基二极管的对比选择

工程师常纠结于快恢复二极管与肖特基二极管的选型。肖特基（如SS34）正向压降更低（约0.5V），反向恢复时间几乎为零，但耐压通常低于200V，且高温漏电流大。ES1J（VF=1.7V）虽正向压降较高，但耐压达600V，适用于高电压场合。选型建议：当电压>200V或需要更高温度稳定性时，选择快恢复二极管（如ES1J）；当电压<100V且追求极致效率时，选择肖特基。

自由续流二极管应用

在电机驱动、继电器线圈、电磁阀等感性负载电路中，ES1J常用作续流二极管。其35ns快速恢复特性可有效抑制关断瞬间的感应尖峰电压，保护MOSFET或IGBT不被击穿。同时，SMAG封装体薄小，适合高密度PCB布局。

采购渠道

长晶科技（JSCJ）ES1J均从原厂或授权代理商出货，提供卷带包装（3000pcs/盘）。可通过南山电子、等线上平台采购，或联系长晶授权经销商获取样品。批量采购可享受价格优惠，交期稳定。

选择ES1J，让高频设计更可靠、更高效。