ES3G 快恢复二极管：超快恢复时间35ns，高频应用的理想选择

在当今高效率、高功率密度的电源设计中，开关速度是关键因素之一。长晶JSCJ推出的ES3G超快恢复二极管，以其仅35ns的反向恢复时间（Trr），为工程师提供了在高压高频场景下的优秀解决方案。本文将深入解析ES3G的参数特性，帮助您理解何时选择快恢复二极管而非肖特基二极管。

产品定位：超快恢复二极管

ES3G属于超快恢复二极管家族，其反向恢复时间（Trr）典型值为35ns，远低于普通快恢复二极管的数百纳秒。这意味着在开关切换时，二极管能迅速从正向导通状态切换至反向阻断状态，极大减少了反向恢复电流带来的开关损耗和电磁干扰（EMI）。

反向恢复时间Trr参数解析

Trr是衡量二极管开关速度的核心参数。ES3G的35ns Trr意味着在二极管从正向偏置转向反向偏置时，仅需极短时间即可清除存储的少数载流子，恢复高阻态。对于工作在100kHz以上频率的开关电源，ES3G能显著降低关断损耗，提升效率。

高频开关电源应用

ES3G专为高频开关电源设计，适用于反激、正激、LLC等拓扑结构。在PFC（功率因数校正）电路中，ES3G可作为升压二极管，其400V的耐压能够满足宽电压输入要求，而低Trr确保在临界导通模式（BCM）或连续导通模式（CCM）下高效运行。

与肖特基对比：何时选择快恢复？

肖特基二极管具有低正向压降（VF）和几乎为零的Trr，但耐压通常较低（一般低于200V），且高温漏电流大。当系统电压超过200V时，肖特基的漏电流急剧增加，甚至无法使用。此时，ES3G（VR=400V）成为更优选择。虽然ES3G的VF为1.25V（肖特基通常0.5-0.8V），但在高压高频场景下，其低Trr带来的开关损耗优势远超过VF的导通损耗。因此，ES3G最适合：

• 输出整流电压高于200V的DC-DC转换器
• 需要高压续流的PFC电路
• 高频硬开关拓扑（如移相全桥、双管正激）

对于低压（<100V）大电流应用，肖特基仍具优势；但在400V级高压高频应用，ES3G是更可靠的选择。

自由续流二极管应用

在电机驱动、逆变器和开关电源中，续流二极管需承受高频反向恢复电流。ES3G的35ns Trr可有效抑制电压尖峰，减少振铃，保护开关管免受反向冲击。其SMCG封装提供优良散热，适合表面贴装自动化生产。

采购渠道

ES3G由长晶JSCJ生产，可通过其官方授权代理商、南山电子等平台购买。批量采购可联系JSCJ销售团队。样品套装和工程支持可咨询授权分销商。

总结：ES3G以35ns超快恢复、400V耐压、3A电流，成为高频高压电源设计的优秀选择。工程师在面临高压高频场景时，应优先考虑此类超快恢复二极管。