US1D
快恢复二极管 SMAG ✓ 量产中
US1D 超快恢复二极管 - 长晶JSCJ 原装正品
US1D是长晶科技（JSCJ）推出的超快恢复二极管，采用SMAG标准表面贴装封装，额定电流1A，反向耐压200V。其典型反向恢复时间（Trr）仅为50ns，正向压降VF低至1V（@1A），反向漏电流IR仅为5μA。专为高频、高效率电源转换系统设计，是替代传统快恢复管、优化开关损耗的理想选择。
核心参数解析：Trr=50ns 带来的高频优势
反向恢复时间（Trr）是衡量二极管开关速度的关键指标。US1D的50ns超快恢复特性，使其在硬开关拓扑（如反激、正激、LLC）中能显著减少反向恢复电荷，降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。相比普通快恢复二极管（Trr≈200-500ns），US1D可将开关损耗降低30%以上，尤其适合100kHz以上的高频工作环境。
典型应用场景
- 高频开关电源（SMPS）：用于输出整流、续流或钳位电路，提升整机效率。
- 功率因数校正（PFC）：作为升压二极管，配合MOSFET实现高功率因数。
- 续流与自由轮二极管：在电机驱动、逆变器中保护开关管免受反向电压冲击。
快恢复 vs 肖特基：如何选择？
肖特基二极管（如SS14）虽正向压降更低（约0.4-0.6V），但耐压通常≤150V，且高温漏电流大。US1D（200V耐压）适合中高压场景，如48V/72V系统、工业电源、适配器。在低压大电流且对效率极致要求的场合（如5V/12V输出），肖特基仍有优势；但若需兼顾耐压与速度，US1D是更优解。
采购与品质保障
长晶JSCJ US1D提供SMAG封装，符合RoHS标准，工作温度范围-55℃~150℃。批量现货供应，支持样品申请。可通过官方授权渠道或正规代理商采购，确保原装正品及可追溯性。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| IO | 1 | A |
| VR | 200 | V |
| VF | 1 | V |
| IR | 5 | μA |
| TRR | 50 | ns |
US1D 常见问题
Q：US1D 是什么器件？
A：US1D 是长晶科技（JSCJ）生产的快恢复二极管，采用SMAG封装。IO 1，VR 200，VF 1。
Q：US1D 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取US1D的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/US1D.pdf 直接下载。
Q：US1D 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 US1D 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：US1D 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：US1D 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：US1D 现货价格是多少？
A：US1D 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。