1N5820
肖特基二极管 DO-27 ✓ 量产中
1N5820肖特基二极管：低VF、快恢复、高频特性优势
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）与普通PN结二极管相比，具有更低的正向压降（VF）和更快的开关速度。以长晶JSCJ 1N5820为例，其典型VF仅为0.475V，而普通硅二极管通常在0.7V以上。这意味着在相同电流下，肖特基二极管的导通损耗更低，尤其适合低压大电流应用。此外，肖特基二极管为多数载流子器件，无存储效应，反向恢复时间极短（纳秒级），适用于高频开关电路。
详细参数
- 型号：1N5820
- 品牌：长晶（JSCJ）
- 子类：肖特基二极管
- 封装：DO-27
- 正向电流（IO）：3A
- 反向重复峰值电压（VR）：20V
- 正向压降（VF）：0.475V（典型值，@3A）
- 反向漏电流（IR）：1000μA（@VR）
这些参数表明1N5820适用于低压、中电流的整流和续流场景。
开关电源整流应用
在开关电源的次级整流电路中，1N5820的低VF可显著降低整流损耗，提高电源转换效率。例如，在5V/3A输出的AC-DC转换器中，使用1N5820比普通二极管可减少约0.5W的功耗。其DO-27封装具有良好的散热性能，适合中等功率设计。
高频电路应用
在DC-DC转换器、高频逆变器或续流二极管应用中，1N5820的快速恢复特性（无反向恢复时间）减少了开关损耗和电磁干扰（EMI）。工作频率可达数百kHz，适合高频PWM电路。
选用注意事项：反向漏电流
肖特基二极管的反向漏电流（IR）随温度升高而增大，1N5820的IR为1000μA（常温），高温下可能进一步上升。设计时应确保散热良好，并考虑漏电流对系统功耗的影响。在高温环境或对漏电流敏感的应用中，建议选用低漏电流型号或增加散热措施。
采购渠道
长晶JSCJ 1N5820可通过授权分销商如JSCJ、南山电子等采购。批量采购可联系JSCJ原厂或代理商。购买时请认准原装标识，避免使用劣质器件影响产品可靠性。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| IO | 3 | A |
| VR | 20 | V |
| VF | 0.475 | V |
| IR | 1000 | μA |
1N5820 常见问题
Q：1N5820 是什么器件？
A：1N5820 是长晶科技（JSCJ）生产的肖特基二极管，采用DO-27封装。IO 3，VR 20，VF 0.475。
Q：1N5820 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取1N5820的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/1N5820.pdf 直接下载。
Q：1N5820 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 1N5820 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：1N5820 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：1N5820 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：1N5820 现货价格是多少？
A：1N5820 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。