BAS70-04T
肖特基二极管 SOT-523 ✓ 量产中
BAS70-04T 肖特基二极管：低VF、快恢复、高频特性优势
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）与普通PN结二极管相比，其核心优势在于金属-半导体结带来的低正向压降（VF）和极快的开关速度。长晶JSCJ推出的BAS70-04T肖特基二极管，采用SOT-523小型封装，典型VF仅为1V（在额定电流下），远低于普通二极管（通常0.7-1.2V），从而在大电流应用中显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，其反向恢复时间极短（纳秒级），非常适合高频开关应用。
详细参数
- 型号：BAS70-04T
- 品牌：长晶（JSCJ）
- 类型：肖特基二极管
- 封装：SOT-523
- 功耗（PD）：0.15W
- 正向电流（IO）：0.07A
- 反向电压（VR）：70V
- 正向压降（VF）：1V（典型值）
- 反向漏电流（IR）：0.1μA（典型值）
开关电源整流应用
在开关电源的次级整流电路中，BAS70-04T的低VF特性可减少整流损耗，提高电源转换效率。其快速恢复能力使得开关频率可以更高，从而减小变压器和滤波元件的体积，实现电源小型化。典型应用包括DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
高频电路应用
由于肖特基二极管不存在少数载流子存储效应，其开关速度极快，适合用于高频整流、检波、混频等电路。BAS70-04T的结电容低，可在MHz级频率下工作，适用于射频识别（RFID）、无线通信模块等高频前端电路。
选用注意事项：反向漏电流
肖特基二极管的反向漏电流（IR）随温度升高而增大，在高温环境下可能影响电路性能。BAS70-04T的IR典型值仅为0.1μA（25°C），但在高温下会显著增加。设计时需确保散热良好，并考虑漏电流对系统功耗和信号完整性的影响。对于低功耗或高灵敏度电路，建议限制工作温度或选用更高额定电流的型号。
采购渠道
长晶JSCJ BAS70-04T肖特基二极管可通过授权分销商、电子元器件电商平台（如南山电子、华强北等）采购。建议从正规渠道购买，确保原装正品，避免假冒伪劣产品影响性能。批量采购可联系原厂或代理商获取价格优势。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| PD | 0.15 | W |
| IO | 0.07 | A |
| VR | 70 | V |
| VF | 1 | V |
| IR | 0.1 | μA |
BAS70-04T 常见问题
Q：BAS70-04T 是什么器件？
A：BAS70-04T 是长晶科技（JSCJ）生产的肖特基二极管，采用SOT-523封装。PD 0.15，IO 0.07，VR 70。
Q：BAS70-04T 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取BAS70-04T的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/BAS70-04T.pdf 直接下载。
Q：BAS70-04T 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 BAS70-04T 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：BAS70-04T 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：BAS70-04T 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：BAS70-04T 现货价格是多少？
A：BAS70-04T 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。