BAS70-05T

肖特基二极管 vs 普通二极管：BAS70-05T的优势

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）与普通PN结二极管相比，最大的区别在于其金属-半导体结结构，这带来了更低的正向压降（VF）和极快的开关速度。普通硅二极管VF通常在0.7V~1.2V，而BAS70-05T的VF典型值仅1V，显著降低了导通损耗，尤其适合低压大电流场景。此外，肖特基二极管没有少数载流子存储效应，反向恢复时间几乎为零，可工作于高频（>100MHz），而普通二极管在高频下效率急剧下降。BAS70-05T采用SOT-523超小型封装，节省PCB空间，是便携设备和紧凑电源的理想选择。

详细参数

• 型号：BAS70-05T
• 品牌：长晶科技 (JSCJ)
• 类型：肖特基二极管
• 封装：SOT-523 (超小型表面贴装)
• 最大功耗 (PD)：150 mW
• 平均整流电流 (IO)：70 mA
• 反向重复峰值电压 (VR)：70 V
• 正向压降 (VF)：1 V (典型值)
• 反向漏电流 (IR)：0.1 μA (典型值)

开关电源整流应用

在开关电源中，整流二极管需具备低正向压降和快速开关特性。BAS70-05T的VF仅1V，相比普通二极管可减少约0.3V的压降，在3.3V或5V低压输出电路中，效率提升可达5%~10%。其极快的恢复时间（<10ns）适应高频PWM波形，减少开关损耗和电磁干扰。典型应用：DC-DC转换器的输出整流、反激式电源的次级侧整流、低压差稳压器（LDO）的输入保护。

高频电路应用

BAS70-05T的寄生电容低，适合高速信号钳位、检波和混频。在RFID读写器、无线模块、高速数据线（如USB 2.0/3.0）的ESD保护中，其低VF可确保信号完整性，而极低漏电流（IR=0.1μA）避免信号偏置。此外，在VCO（压控振荡器）及频率合成器中，用作开关或变容管替代品，实现低失真。

选用注意事项：反向漏电流

肖特基二极管的反向漏电流（IR）随温度升高而增大，这是其固有特性。BAS70-05T在常温下IR仅0.1μA，但在85°C时可能升至数μA。设计高温环境（如电源模块）时需考虑漏电流对系统功耗的影响。另外，其最大反向电压VR为70V，实际使用建议降额至60V以下，以预留安全余量，避免雪崩击穿。

采购渠道

长晶JSCJ BAS70-05T现可通过官方授权分销商及各大电子元器件平台（如南山电子、）购买。批量可联系长晶原厂或代理商获取更优价格。注意认准JSCJ logo及原厂包装，避免二手或翻新料。