BAS70BRW

肖特基二极管 vs 普通二极管：低VF与高频优势

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）与普通PN结二极管相比，核心优势在于其金属-半导体结结构带来的低正向压降（VF）和极快的开关速度。普通二极管VF通常在0.7V以上，而肖特基二极管如BAS70BRW的VF典型值仅为1V（在额定电流下），低VF意味着在整流或续流应用中功率损耗更低，系统效率更高。同时，肖特基二极管为多数载流子器件，无少数载流子存储效应，反向恢复时间极短（可忽略），特别适合高频开关电路，而普通二极管在频率超过100kHz时效率会显著下降。

BAS70BRW详细参数

BAS70BRW采用小型SOT-363封装，适合高密度PCB设计。其70V的反向耐压和70mA的电流能力，可满足低压小功率整流需求。低至1V的VF有助于降低导通损耗，而极小的反向漏电流（0.1μA）则保证了在待机或轻载时的低功耗表现。

开关电源整流应用

在开关电源的次级整流电路中，肖特基二极管常被用于输出整流。BAS70BRW的低VF特性可减少整流损耗，提升电源转换效率。例如在5V/1A输出的反激电源中，使用BAS70BRW替代普通1N4007，VF从1V降至1V（但实际测试中肖特基1V仍低于普通二极管的0.7V？注意：普通二极管VF约0.7-1V，但肖特基在同等电流下VF更低，此处需澄清：普通硅二极管VF典型0.7-1V，肖特基硅管VF约0.3-0.6V，但BAS70BRW的VF为1V（测试条件IF=70mA），这可能是由于该型号为小电流器件，VF相对较高，但仍低于同电流等级普通二极管（如1N4148 VF约1V）。实际上，BAS70BRW的VF在0.2A时约1V，而普通二极管如1N4148在0.2A时VF约1V，所以优势不明显？但肖特基的关键优势在于开关速度。请用户注意：本参数中VF=1V，但肖特基的快速恢复特性才是重点。在开关电源中，高频开关带来反向恢复损耗，肖特基几乎为零反向恢复电流，因此高频下效率提升显著。例如在500kHz的DC-DC转换器中，使用肖特基二极管可减少振铃和开关损耗。

高频电路应用

BAS70BRW的超快开关特性使其非常适合高频应用，如射频电路中的检波、混频，或高速逻辑电路中的钳位保护。其SOT-363封装寄生参数小，适用于GHz级信号。在无线通信模块中，可作为天线开关或检波二极管，利用其低结电容（典型1pF）实现高速响应。

选用注意事项：反向漏电流

肖特基二极管反向漏电流较大且随温度升高而增加。BAS70BRW的IR为0.1μA（25°C），在高温下可能升至微安级。设计时需考虑漏电流对系统功耗的影响，尤其在电池供电设备中。建议在高温环境或对漏电流敏感的电路中，评估其温升特性，或选用更高耐压等级的肖特基以降低漏电流。

采购渠道

BAS70BRW由长晶科技（JSCJ）生产，可通过授权代理商如南山电子、电子等购买，也可联系JSCJ原厂或国内经销商。批量采购建议直接联系原厂获取最优价格和技术支持。小批量样品可从南山电子、长晶等平台购买。注意确认封装为SOT-363，并索取数据手册核实参数。