BAS70TW

肖特基二极管 SOT-363 ✓ 量产中

肖特基二极管 vs 普通二极管:BAS70TW的优势

肖特基二极管(SBD)与普通PN结二极管相比,具有更低的正向压降(VF)和更快的反向恢复时间(trr)。BAS70TW的典型VF仅为1V(在0.1A下),远低于普通硅二极管的0.7-1.2V,显著降低导通损耗。同时,肖特基二极管为多数载流子器件,无存储效应,开关速度极快,尤其适合高频应用。普通二极管在反向恢复时会产生较大电流尖峰,而BAS70TW几乎无反向恢复电流,大幅减少电磁干扰(EMI)。

详细参数

  • 型号:BAS70TW
  • 品牌:长晶(JSCJ)
  • 子类:肖特基二极管
  • 封装:SOT-363(小型化表面贴装,适合高密度PCB)
  • 功率耗散PD:0.2W
  • 正向电流IO:0.07A
  • 反向电压VR:70V
  • 正向压降VF:1V(典型值@IF=0.1A)
  • 反向漏电流IR:0.1μA(典型值@VR=70V)

开关电源整流应用

在开关电源(SMPS)的输出整流级,BAS70TW的低VF特性可显著提升效率。例如,在5V/1A输出中,使用普通二极管VF=1V时,整流损耗占输出功率的20%;而采用BAS70TW(VF=1V)可降低损耗至约14%。同时,其快恢复特性(典型trr<10ns)支持高频开关(如100kHz以上),减小输出滤波电容体积,降低成本。

高频电路应用

BAS70TW适用于射频(RF)检波、混频、高速逻辑电平转换等高频电路。其极低的结电容(典型值约2pF)和快速开关能力,确保信号完整性。例如,在2.4GHz无线通信模块中,可作为电源保护或信号钳位二极管,响应速度快,几乎不引入失真。

选用注意事项:反向漏电流

肖特基二极管的反向漏电流(IR)随温度升高而增大。BAS70TW的IR在25°C时仅为0.1μA,但在100°C时可升至数十μA。设计时需确保散热良好,避免热失控。建议在高温环境下降额使用,或选择更高电压等级(如VR=100V)的型号。此外,注意反向电压尖峰可能超过额定值,需加RC吸收电路。

采购渠道

长晶(JSCJ)BAS70TW可通过授权代理商或在线平台(如南山电子、电子)购买。批量采购可联系原厂或代理商获取优惠。小批量样品可从淘宝、1688等渠道快速获取。确保从正规渠道购买,避免假货影响性能。

电气参数规格

参数数值单位
PD0.2W
IO0.07A
VR70V
VF1V
IR0.1μA

BAS70TW 常见问题

Q:BAS70TW 是什么器件?
A:BAS70TW 是长晶科技(JSCJ)生产的肖特基二极管,采用SOT-363封装。PD 0.2,IO 0.07,VR 70。
Q:BAS70TW 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取BAS70TW的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/BAS70TW.pdf 直接下载。
Q:BAS70TW 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 BAS70TW 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:BAS70TW 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:BAS70TW 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:BAS70TW 现货价格是多少?
A:BAS70TW 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。