DSS18 肖特基二极管 - JSCJ长晶 低VF高效能

DSS18是长晶科技（JSCJ）推出的高品质肖特基二极管，采用SOD-123FL表面贴装封装，额定电流1A，反向耐压80V，正向压降仅0.85V。相较于普通PN结二极管，肖特基二极管具有更低的正向压降和更快的反向恢复时间，特别适用于高效率电源转换和高频应用。

肖特基二极管 vs 普通二极管：优势对比

普通硅二极管正向压降通常为0.7V-1.2V，而肖特基二极管DSS18的VF仅为0.85V，显著降低了导通损耗。在开关电源中，低VF意味着更少的能量以热量形式散失，提升整体转换效率。此外，肖特基二极管为多数载流子器件，无存储效应，反向恢复时间极短（纳秒级），适合高频开关电路，而普通二极管在频率超过100kHz时效率会大幅下降。

详细参数

• 型号：DSS18
• 品牌：长晶（JSCJ）
• 类型：肖特基二极管
• 封装：SOD-123FL
• 正向电流（IO）：1A
• 反向电压（VR）：80V
• 正向压降（VF）：0.85V（典型值）
• 反向漏电流（IR）：0.1mA（最大值）

开关电源整流应用

在开关电源的输出整流级，DSS18的低VF特性可有效减少整流损耗，提高电源效率。其快速开关能力适应高频PWM波形，减少振铃和EMI。典型应用包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、充电器、LED驱动电源等。

高频电路应用

由于肖特基二极管极短的反向恢复时间，DSS18非常适合高频整流、续流、钳位等电路。例如在DC-DC转换器的续流二极管位置，使用DSS18可以显著降低开关损耗，提高工作频率，从而减小磁性元件尺寸。此外，在射频检测、混频器、高速逻辑电路中也常采用肖特基二极管。

选用注意事项：反向漏电流

肖特基二极管的反向漏电流（IR）随温度升高而增大，这是其固有特性。DSS18的IR最大为0.1mA，在高温环境下需注意散热，避免热失控。设计时应确保工作温度不超过结温（通常150°C），并留有余量。在低压大电流应用中，低VF的优势更明显；而在高压场合，需权衡反向漏电流带来的损耗。

采购渠道

DSS18由长晶科技（JSCJ）生产，可通过授权代理商或电子元器件电商平台购买，如南山电子电子等。建议批量采购时索取原厂规格书，并确认批次和封装一致性。样品可联系当地代理商申请。