SBDB10H200A
肖特基二极管 TO-263-2L ✓ 量产中
肖特基二极管 vs 普通二极管：优势对比
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）与普通PN结二极管相比，具有显著优势。SBDB10H200A采用金属-半导体结，正向压降（VF）典型值仅0.9V，远低于普通二极管的1.2V以上，在大电流下功耗更低，效率提升明显。此外，肖特基二极管是多数载流子器件，无存储效应，反向恢复时间极短（纳秒级），适合高频开关应用。
详细参数
- 型号：SBDB10H200A
- 品牌：长晶（JSCJ）
- 子类：肖特基二极管
- 封装：TO-263-2L
- 正向电流（IO）：10A
- 反向电压（VR）：200V
- 正向压降（VF）：典型0.9V
- 反向漏电流（IR）：0.5mA
开关电源整流应用
在开关电源（SMPS）中，整流二极管需兼顾低损耗和快恢复。SBDB10H200A的0.9V低VF可减少导通损耗，提升电源转换效率（尤其在低压大电流输出场景）。其TO-263-2L表面贴装封装便于自动化焊接，适合紧凑型电源设计。典型应用包括：AC-DC适配器、DC-DC转换器输出整流、反激式电源次级整流。
高频电路应用
肖特基二极管的高频特性使其在射频电路、信号检波、混频器中表现出色。SBDB10H200A的极快开关速度（纳秒级）和低结电容，可处理高频信号而不引入失真。适用于高频整流、射频保护电路、雷达脉冲电路等。
选用注意事项：反向漏电流
肖特基二极管反向漏电流（IR）随温度升高而增大。SBDB10H200A的IR典型值为0.5mA（25°C），但在高温下需降额使用。设计时需考虑散热，确保结温不超过最大额定值（通常125°C）。在高压或高温应用中，建议选用更高耐压型号或并联散热器。
采购渠道
长晶（JSCJ）SBDB10H200A肖特基二极管可通过授权代理商或电商平台采购。建议从正规渠道获取，确保产品原装正品。批量采购可联系长晶官方或授权分销商获取报价及技术支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| IO | 10 | A |
| VR | 200 | V |
| VF | 0.9 | V |
| IR | 0.5 | μA |
SBDB10H200A 常见问题
Q：SBDB10H200A 是什么器件？
A：SBDB10H200A 是长晶科技（JSCJ）生产的肖特基二极管，采用TO-263-2L封装。IO 10，VR 200，VF 0.9。
Q：SBDB10H200A 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取SBDB10H200A的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/SBDB10H200A.pdf 直接下载。
Q：SBDB10H200A 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 SBDB10H200A 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：SBDB10H200A 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：SBDB10H200A 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：SBDB10H200A 现货价格是多少？
A：SBDB10H200A 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。