SBDB30H150CTB
肖特基二极管 TO-263-2L ✓ 量产中
肖特基二极管与普通二极管的优势对比
肖特基二极管（Schottky Diode）采用金属-半导体结，具有极低的正向压降（VF）和极快的开关速度。相比普通PN结二极管，SBDB30H150CTB的VF低至0.88V，显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，其反向恢复时间极短（纳秒级），适合高频应用，无存储效应，开关损耗小。
详细参数
- 型号：SBDB30H150CTB
- 品牌：长晶（JSCJ）
- 子类：肖特基二极管
- 封装：TO-263-2L
- 正向电流（IO）：30A
- 反向耐压（VR）：150V
- 正向压降（VF）：0.88V（典型值）
- 反向漏电流（IR）：0.5mA（最大值）
开关电源整流应用
在开关电源（SMPS）中，SBDB30H150CTB作为输出整流二极管，低VF特性可减少整流损耗，提高电源转换效率。快速开关能力允许更高的工作频率，减小变压器和滤波元件尺寸，实现小型化设计。适用于AC-DC适配器、DC-DC转换器、服务器电源等。
高频电路应用
因其极快的开关速度和低结电容，SBDB30H150CTB适用于高频电路，如高频整流、续流二极管、极性保护等。在逆变器、无线充电、PFC电路中表现优异，可有效抑制电压尖峰，减少电磁干扰（EMI）。
选用注意事项（反向漏电流）
肖特基二极管的反向漏电流（IR）随温度升高而增大，高温下可能影响系统效率。设计时需确保散热良好，避免结温超过额定值。SBDB30H150CTB的IR为0.5mA（最大值），在同类产品中处于较低水平，但建议实际应用中留有余量，并考虑并联或选用更高耐流型号。
采购渠道
长晶JSCJ SBDB30H150CTB可通过授权分销商或在线平台购买。我们提供正品保证，支持小批量样品和批量订货。欢迎联系获取报价和技术支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| IO | 30 | A |
| VR | 150 | V |
| VF | 0.88 | V |
| IR | 0.5 | μA |
SBDB30H150CTB 常见问题
Q：SBDB30H150CTB 是什么器件？
A：SBDB30H150CTB 是长晶科技（JSCJ）生产的肖特基二极管，采用TO-263-2L封装。IO 30，VR 150，VF 0.88。
Q：SBDB30H150CTB 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取SBDB30H150CTB的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/SBDB30H150CTB.pdf 直接下载。
Q：SBDB30H150CTB 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 SBDB30H150CTB 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：SBDB30H150CTB 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：SBDB30H150CTB 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：SBDB30H150CTB 现货价格是多少？
A：SBDB30H150CTB 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。