SBDD10100CT

肖特基二极管 TO-252-2L ✓ 量产中

肖特基二极管 vs 普通二极管:优势对比

肖特基二极管(SBD)采用金属-半导体结,与普通PN结二极管相比,具有显著优势:正向压降(VF)更低(典型0.3-0.6V vs 0.7-1.2V),反向恢复时间几乎为零(纳秒级 vs 微秒级),适合高频开关应用。SBDD10100CT的VF仅0.85V(10A时),相比普通二极管可降低导通损耗20%以上,大幅提升电源转换效率。

详细参数

参数
型号SBDD10100CT
品牌长晶 (JSCJ)
子类肖特基二极管
封装TO-252-2L
正向电流 (IO)10A
反向电压 (VR)100V
正向压降 (VF)0.85V (典型)
反向漏电流 (IR)100μA (典型)

开关电源整流应用

在开关电源(SMPS)的输出整流级,SBDD10100CT的低VF可减少整流损耗,提高效率。其快速开关特性降低了开关噪声,适用于高频PWM控制器。典型应用包括:AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源。

高频电路应用

由于反向恢复时间极短(<10ns),SBDD10100CT适用于高频DC-DC转换器(如buck、boost电路)和续流二极管。在1MHz以上频率下,其损耗远低于超快恢复二极管,是高频电源设计的理想选择。

选用注意事项:反向漏电流

肖特基二极管的反向漏电流(IR)随结温升高而增大。SBDD10100CT在25°C时IR仅100μA,但高温下可能显著上升。设计时需确保散热良好,避免结温超过125°C。在高环境温度应用中,应降额使用或选择更高额定电流的器件。

采购渠道

请通过长晶科技(JSCJ)官方授权分销商或可信电子元器件平台(如南山电子)购买SBDD10100CT,确保正品和可靠性。批量采购可联系JSCJ销售代表获取优惠报价。

电气参数规格

参数数值单位
IO10A
VR100V
VF0.85V
IR100μA

SBDD10100CT 常见问题

Q:SBDD10100CT 是什么器件?
A:SBDD10100CT 是长晶科技(JSCJ)生产的肖特基二极管,采用TO-252-2L封装。IO 10,VR 100,VF 0.85。
Q:SBDD10100CT 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取SBDD10100CT的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/SBDD10100CT.pdf 直接下载。
Q:SBDD10100CT 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 SBDD10100CT 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:SBDD10100CT 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:SBDD10100CT 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:SBDD10100CT 现货价格是多少?
A:SBDD10100CT 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。