SBDF30H200CTB
肖特基二极管 TO-220F-B ✓ 量产中
产品概述
SBDF30H200CTB是长晶科技（JSCJ）推出的一款高性能肖特基二极管，采用TO-220F-B全塑封封装，具有低正向压降、高反向耐压和快速开关特性。该器件额定反向重复峰值电压VRRM为200V，平均整流电流IO为30A，正向压降VF典型值0.9V，反向漏电流IR为0.5mA。其低VF特性有助于降低导通损耗，适用于高频应用场合。
详细参数解析
- 正向压降VF（0.9V）：肖特基二极管的关键优势在于低VF，SBDF30H200CTB在30A电流下VF仅为0.9V，相比普通PN结二极管（约1.2V）显著降低导通损耗，提高系统效率。
- 反向重复峰值电压VRRM（200V）：该器件可承受200V反向电压，适用于200V以下母线电压的开关电源和PFC电路，留有充足安全裕量。
- 平均整流电流IO（30A）：在TO-220F-B封装下可稳定通过30A电流，适合中等功率应用，如30A输出整流。
- 反向漏电流IR（0.5mA）：在VRRM下漏电流仅0.5mA，高温下略有增加，但总体保持低功耗。
不同工况下的性能特点
在高温环境（如125℃）时，VF会略有上升（约1.0V），但仍优于普通二极管。在轻载（如5A）时，VF可低至0.7V，效率优势明显。高频开关（如100kHz）下，由于肖特基无反向恢复时间，开关损耗极低，适合高频PFC和LLC电路。
典型应用电路
- 开关电源输出整流：用于反激或正激变换器的次级整流，利用低VF提高效率。
- PFC升压二极管：在Boost PFC电路中作为升压二极管，快速开关特性减少EMI。
- 续流二极管：用于Buck或半桥拓扑中，与MOSFET并联提供续流路径。
选型建议
当设计200V以下、30A以内的整流电路时，SBDF30H200CTB是理想选择。若需更高耐压（如400V），可考虑同系列SBDF30H400CTB。注意TO-220F-B为全绝缘封装，无需绝缘垫片，安装方便。
采购渠道
可通过长晶科技官方授权分销商（如JSCJ、南山电子）购买，建议批量采购以降低成本。样品可联系代理商申请。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| PD | 0.002 | W |
| IO | 30 | A |
| VR | 200 | V |
| VF | 0.9 | V |
| IR | 0.5 | μA |
SBDF30H200CTB 常见问题
Q：SBDF30H200CTB 是什么器件？
A：SBDF30H200CTB 是长晶科技（JSCJ）生产的肖特基二极管，采用TO-220F-B封装。PD 0.002，IO 30，VR 200。
Q：SBDF30H200CTB 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取SBDF30H200CTB的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/SBDF30H200CTB.pdf 直接下载。
Q：SBDF30H200CTB 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 SBDF30H200CTB 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：SBDF30H200CTB 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：SBDF30H200CTB 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：SBDF30H200CTB 现货价格是多少？
A：SBDF30H200CTB 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。