CSD10H120
SiC肖特基二极管 TO-220-2L ✓ 量产中
产品全面概述
碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优势，在高压、高频、高温应用场景中表现卓越。长晶科技（JSCJ）作为国内领先的半导体器件制造商，推出的CSD10H120 SiC肖特基二极管，凭借其1200V耐压、10A正向电流的优异性能，成为电力电子系统高效化的理想选择。
型号特点
- 采用SiC肖特基结构，零反向恢复电流，显著降低开关损耗
- 正向压降VF典型值1.8V，导通损耗低
- 反向漏电流IR仅50μA，高温稳定性佳
- 总充电电荷QC低至50nC，适合高频应用
完整参数列表说明
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 最大功耗 | PD | 86 | W |
| 平均正向电流 | IO | 10 | A |
| 重复峰值反向电压 | VRRM | 1200 | V |
| 正向压降（@IF=10A, Tj=25°C） | VF | 1.8 | V |
| 反向漏电流（@VR=1200V, Tj=25°C） | IR | 50 | μA |
| 总充电电荷 | QC | 50 | nC |
封装规格
CSD10H120采用标准的TO-220-2L封装，具有优良的散热性能和安装便利性。封装尺寸符合工业标准，便于PCB布局和散热器安装，适用于高功率密度应用。
应用场景全览
- 光伏逆变器：用于升压电路和逆变桥，降低开关损耗，提高转换效率。
- 储能系统：在双向DC/DC变换器中实现高效能量转换。
- 充电桩：适用于电动汽车充电模块，减少热损耗，提升可靠性。
- 工业电源：用于开关电源PFC电路，改善功率因数，满足高功率密度需求。
使用注意事项
- 安装时确保散热良好，建议使用导热硅脂并固定散热片。
- 避免超过最大额定值（如反向电压1200V、结温范围-55°C至175°C）。
- 焊接温度不超过260°C，时间控制在10秒内。
- 静电敏感器件，操作时需采取防静电措施。
长晶SiC产品系列
长晶科技提供完整的SiC二极管和MOSFET产品线，涵盖600V至1700V电压等级，电流覆盖5A至50A，满足不同功率等级应用需求。CSD10H120作为其中的代表型号，具备高性价比和可靠性。
南山电子作为长晶科技授权代理商，提供CSD10H120现货供应及技术支持。批量采购可享优惠价格，样品申请快速响应。访问南山电子官网或联系销售团队获取报价和样品。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| PD | 86 | W |
| IO | 10 | A |
| VR | 1200 | V |
| VF | 1.8 | V |
| IR | 50 | μA |
| QC | 50 | nC |
CSD10H120 常见问题
Q：CSD10H120 是什么器件？
A：CSD10H120 是长晶科技（JSCJ）生产的SiC肖特基二极管，采用TO-220-2L封装。PD 86，IO 10，VR 1200。
Q：CSD10H120 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CSD10H120的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CSD10H120.pdf 直接下载。
Q：CSD10H120 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CSD10H120 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CSD10H120 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CSD10H120 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CSD10H120 现货价格是多少？
A：CSD10H120 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。