MMDT4413

产品概述

MMDT4413是长晶科技（JSCJ）生产的高性能小信号双晶体管，采用SOT-363封装，内部集成一个NPN和一个PNP晶体管，极性互补。该器件最大集电极-发射极电压（VCEO）为40V（NPN）和-40V（PNP），最大集电极电流（IC）为600mA（NPN）和-600mA（PNP），功耗（PCM）为200mW。其直流电流增益（hFE）在100至300之间，饱和压降（VCESAT）典型值为0.75V（NPN）和-0.75V（PNP），适用于通用放大和开关应用。

详细参数解析

• 极性（POLARITY）：NPN和PNP互补对，便于设计推挽电路和互补对称放大器。
• 集电极-发射极击穿电压（VCEO）：NPN为40V，PNP为-40V，确保在40V以下电源电压下可靠工作。
• 集电极电流（IC）：NPN最大600mA，PNP最大-600mA，适合中等电流驱动。
• 功耗（PCM）：每管200mW，总功耗受限于封装散热。
• 直流电流增益（hFE）：在指定测试条件下（VCE=1V/-2V，IC=150mA/-150mA），hFE范围为100-300，一致性良好。
• 饱和压降（VCESAT）：在IC=500mA/-500mA，IB=50mA/-50mA时，典型值0.75V/-0.75V，开关损耗低。
• 封装：SOT-363，体积小，适合高密度PCB设计。

典型应用电路说明

MMDT4413常用于以下电路：

• 信号放大：作为两级放大器，NPN和PNP可分别处理正负半周信号，实现推挽放大。
• 开关电路：利用互补特性构建高速开关，如电机驱动、继电器驱动。
• 电平转换：用于不同电压域之间的信号转换。

选型注意事项

选择MMDT4413时需注意：

• 确认电源电压不超过VCEO额定值（40V）。
• 负载电流应小于IC最大值（600mA），并考虑散热条件。
• hFE值随温度变化，高温下增益可能下降。
• SOT-363封装焊接时需控制温度，避免损坏。

采购渠道

MMDT4413由长晶科技（JSCJ）生产，南山电子为其授权代理商，提供原装正品和稳定供货。可通过南山电子官方网站或授权分销商下单，支持小批量样品和大批量订货。