DB106S

DB106S 肖特基整流桥：低VF、快恢复，提升电源效率

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）以其低正向压降（VF）和快速开关特性，在电源转换和高频电路中广泛应用。长晶（JSCJ）推出的DB106S整流桥，采用肖特基技术，IAV=1A，VRRM=800V，VF低至1.05V，IFSM高达30A，特别适合对效率有严格要求的开关电源和高频应用。

肖特基 vs 普通二极管：优势对比

传统PN结二极管的正向压降通常为0.7~1.2V，而肖特基二极管仅为0.3~0.6V，DB106S的VF为1.05V（在额定电流下），仍显著低于同规格普通整流桥。低VF意味着更小的导通损耗，尤其在低压大电流场景下，可提升系统效率3%~5%。此外，肖特基二极管为多数载流子器件，无存储效应，反向恢复时间极短（纳秒级），而普通二极管需微秒级。这使DB106S在开关电源中能减少开关损耗，降低EMI。

详细参数

• 型号：DB106S
• 品牌：长晶（JSCJ）
• 子类：整流桥（肖特基）
• 封装：DBS
• IAV（平均正向电流）：1A
• VRRM（重复峰值反向电压）：800V
• IFSM（浪涌电流）：30A
• VFM（正向压降）：1.05V（典型值）
• IRM（反向漏电流，TA=25°C）：10μA

开关电源整流应用

在开关电源的输入整流、输出整流或续流二极管中，DB106S的低VF可减少整流损耗，提高电源转换效率。其800V耐压适应220V交流输入（峰值约311V）的整流桥需求，1A电流适用于小功率适配器、充电器。快速恢复特性使开关管关断时反向电流尖峰小，降低开关管应力。

高频电路应用

肖特基二极管的高频特性使其在DC-DC变换器、PFC电路、逆变器中表现出色。DB106S的纳秒级反向恢复时间，支持高达数百kHz的开关频率，适合高频谐振变换器。在同步整流电路中，低VF可替代MOSFET体二极管，简化驱动。

选用注意事项：反向漏电流

肖特基二极管的反向漏电流（IR）随温度升高呈指数增长。DB106S在25°C时IR为10μA，但高温下可能达mA级。设计时需确保散热良好，避免热失控。同时，反向电压应降额使用，建议不超过80%的VRRM，即640V，以留出安全裕量。

采购渠道

长晶（JSCJ）DB106S可通过授权代理商或电商平台（如南山电子、）购买。批量采购建议联系原厂或一级代理，确保正品。样品可申请免费样片，用于测试验证。