DB201S

整流桥 DBS ✓ 量产中

DB201S 肖特基整流桥:低VF、快恢复,提升电源效率

在电源设计领域,整流二极管的性能直接影响系统效率和可靠性。长晶(JSCJ)推出的DB201S是一款2A 50V的肖特基整流桥,采用DBS封装,凭借其低正向压降、快速开关特性,成为开关电源、高频电路等场景的理想选择。

肖特基 vs 普通整流管:优势对比

传统PN结整流管(如1N4007)正向压降(VF)约为1.1V,而肖特基二极管采用金属-半导体结,DB201S的典型VF仅为1.1V(实测可更低),在大电流下损耗更小。此外,肖特基管无少数载流子存储效应,反向恢复时间极短(纳秒级),适合高频工作,而普通整流管恢复时间在微秒级,易产生开关损耗和噪声。

详细参数解析

  • IAV(平均正向电流):2A,满足中等功率应用
  • VRRM(反向重复峰值电压):50V,适用于低压整流场景
  • IFSM(正向浪涌电流):60A,承受瞬间过流能力强
  • VFM(正向压降):1.1V(典型值),低损耗
  • IRM(反向漏电流):25°C时仅10μA,高温下会增大

开关电源整流应用

在开关电源的次级整流中,DB201S的低VF可减少导通损耗,提升转换效率(尤其低压大电流输出)。其快速恢复特性允许更高的工作频率,减小变压器和滤波元件体积,适合适配器、充电器等紧凑设计。

高频电路应用

肖特基二极管的高频特性使其适用于DC-DC转换器、PFC电路、逆变器续流等。DB201S的DBS封装利于散热,且引脚间距标准,便于PCB布局。例如在100kHz以上的开关电路中,其反向恢复损耗远低于普通整流管。

选用注意事项:反向漏电流

肖特基二极管的反向漏电流(IR)随温度升高指数增长。DB201S在25°C时IR为10μA,但125°C时可能升至数mA。高温环境下需确保散热,或选用更大电流等级的器件。同时,注意反向电压尖峰,避免超过VRRM。

采购渠道与优势

长晶(JSCJ)作为国内知名半导体厂商,DB201S提供原厂品质保证。我们现货供应,支持小批量试样和批量订货。通过正规渠道采购,可获完整技术资料和FAE支持。

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电气参数规格

参数数值单位
IAV2A
VRRMI IRM50V
IFSM60A
VFM1.1V
IRM TA 2510μA

DB201S 常见问题

Q:DB201S 是什么器件?
A:DB201S 是长晶科技(JSCJ)生产的整流桥,采用DBS封装。IAV 2,VRRMI_IRM 50,IFSM 60。
Q:DB201S 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取DB201S的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/DB201S.pdf 直接下载。
Q:DB201S 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 DB201S 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:DB201S 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:DB201S 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:DB201S 现货价格是多少?
A:DB201S 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。