GBJ2010
整流桥 6GBJ ✓ 量产中
产品定位与保护原理
GBJ2010是长晶（JSCJ）推出的高性能整流桥，专为电路保护设计。其内部集成四个整流二极管，利用雪崩击穿原理，在正向导通时提供低阻抗路径，反向截止时承受高电压，有效抑制ESD、浪涌和过压瞬态，保护后级电路。
关键保护参数解析
- 击穿电压（VRRM）：1000V，确保在高压环境下可靠截止，防止反向击穿。
- 正向压降（VFM）：1V，低功耗设计，减少发热，提高效率。
- 峰值电流（IAV/IFSM）：平均20A，浪涌260A，满足大电流冲击保护需求，快速响应瞬态过流。
- 漏电流（IRM_TA_25）：10μA，低漏电流降低静态功耗。
通信接口保护应用
在RS-232、RS-485、以太网等通信接口中，GBJ2010可并联在信号线与地之间，吸收ESD脉冲，防止接口芯片损坏。其快速响应特性（<1ns）确保信号完整性。
电源线保护应用
用于直流电源输入端，如24V工业电源、12V车载系统，抑制浪涌电压，保护后级DC-DC转换器。高浪涌能力（260A）可承受雷击或开关瞬态。
PCB布局原则
- 将GBJ2010靠近被保护接口或电源输入端，缩短走线长度以减小寄生电感。
- 确保散热良好，可利用大面积铜箔和散热孔。
- 输入输出电容靠近器件放置，优化滤波效果。
采购信息
型号：GBJ2010，品牌：长晶（JSCJ），封装：6GBJ，包装：管装/编带。可通过授权代理商或线上平台订购，批量价格优惠。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| IAV | 20 | A |
| VRRMI IRM | 1000 | V |
| IFSM | 260 | A |
| VFM | 1 | V |
| IRM TA 25 | 10 | μA |
GBJ2010 常见问题
Q：GBJ2010 是什么器件？
A：GBJ2010 是长晶科技（JSCJ）生产的整流桥，采用6GBJ封装。IAV 20，VRRMI_IRM 1000，IFSM 260。
Q：GBJ2010 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取GBJ2010的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/GBJ2010.pdf 直接下载。
Q：GBJ2010 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 GBJ2010 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：GBJ2010 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：GBJ2010 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：GBJ2010 现货价格是多少？
A：GBJ2010 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。