GBU801
整流桥 GBU ✓ 量产中
肖特基二极管GBU801：低VF快恢复，提升电源效率
在整流应用中，肖特基二极管（Schottky Diode）相比普通PN结二极管具有显著优势。GBU801作为长晶JSCJ推出的肖特基整流桥，采用GBU封装，额定电流8A，反向耐压100V，正向压降仅1V（典型值），远低于普通二极管的1.2-1.5V。这意味着在同等电流下，GBU801的导通损耗更低，特别适合对效率要求苛刻的开关电源和DC-DC转换器。
核心参数对比
| 参数 | GBU801（肖特基） | 普通整流管 |
|---|---|---|
| 正向压降VF | 1V | 1.2-1.5V |
| 反向恢复时间 | 极短（肖特基特性） | 数十纳秒至微秒 |
| 反向漏电流IR（25°C） | 10μA | 更低（但VF高） |
GBU801的快速开关特性使其非常适合高频整流，减少开关损耗和电磁干扰。
详细参数
- 型号：GBU801
- 品牌：长晶JSCJ
- 子类：整流桥（肖特基）
- 封装：GBU
- 平均正向电流IAV：8A
- 反向重复峰值电压VRRM：100V
- 非重复峰值浪涌电流IFSM：200A
- 正向压降VFM：1V（@8A）
- 反向漏电流IRM（TA=25°C）：10μA
开关电源整流应用
在开关电源的次级整流电路中，GBU801的低VF特性可显著降低功率损耗，提高电源转换效率。例如，在5V/8A输出的电源中，使用GBU801相比普通二极管可减少约2W的损耗，效率提升约3%。同时，其快恢复特性减少了反向恢复电流，降低输出纹波。
高频电路应用
GBU801适用于高频逆变器、高频整流桥等场合。其肖特基结构无少数载流子存储效应，反向恢复时间极短，工作频率可达数百kHz。在高频条件下，普通二极管因存储效应会产生严重损耗和尖峰，而GBU801能保持低损耗运行。
选用注意事项：反向漏电流
肖特基二极管的反向漏电流随温度升高而增大，GBU801在25°C时仅为10μA，但在高温下会显著上升。设计时需确保散热良好，并考虑高温下的漏电流对系统的影响。建议在85°C以上应用时适当降额。
采购渠道
长晶JSCJ GBU801提供原装正品，支持样品申请和批量采购。可通过官方授权代理商或在线平台如南山电子、购买。库存充足，交期短，提供技术支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| IAV | 8 | A |
| VRRMI IRM | 100 | V |
| IFSM | 200 | A |
| VFM | 1 | V |
| IRM TA 25 | 10 | μA |
GBU801 常见问题
Q：GBU801 是什么器件？
A：GBU801 是长晶科技（JSCJ）生产的整流桥，采用GBU封装。IAV 8，VRRMI_IRM 100，IFSM 200。
Q：GBU801 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取GBU801的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/GBU801.pdf 直接下载。
Q：GBU801 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 GBU801 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：GBU801 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：GBU801 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：GBU801 现货价格是多少？
A：GBU801 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。