DTESD3V3LED02
ESD静电保护二极管 WBFBP-02C ✓ 量产中
产品定位与保护原理
DTESD3V3LED02是长晶科技（JSCJ）推出的ESD静电保护二极管，专为高速数据接口和电源线路设计。当ESD事件或浪涌发生时，该器件在纳秒级时间内从高阻态切换至低阻态，将瞬态电流旁路到地，同时将电压钳位在安全水平，有效保护后级IC。
关键保护参数解析
击穿电压（VBR）
VBR范围为5V至5.9V，确保在正常电压下不误动作，同时提供精准的雪崩击穿点，实现快速响应。
钳位电压（VC）
在IPP=16A时，最大钳位电压仅为13V，极低的钳位电压能有效保护低压芯片。
峰值脉冲功率（PPP）
PPP高达210W，能够承受较大的瞬态能量，适用于工业级ESD和浪涌环境。
通信接口保护应用
适用于USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、RS-485、RS-232等高速接口。低结电容CJ=120pF确保信号完整性，不影响数据速率。
电源线保护应用
可用于DC电源线上的过压保护，如3.3V供电轨，防止热插拔和浪涌事件损坏负载。
PCB布局原则
- 将保护二极管尽可能靠近被保护IC的引脚放置
- 使用短而宽的走线连接至地平面
- 确保ESD电流路径低阻抗
- 避免在保护路径上使用过孔，以减小寄生电感
采购信息
型号：DTESD3V3LED02
品牌：长晶（JSCJ）
封装：WBFBP-02C
包装：编带盘装，最小起订量3000pcs
可提供样品和批量供货，请联系销售代表。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| PPP | 210 | W |
| VRWM | 3.3 | V |
| VBRMIN | 5 | V |
| VBRMAX | 5.9 | V |
| IR | 1 | μA |
| CJ | 120 | pF |
| VC | 13 | V |
| IPP | 16 | A |
DTESD3V3LED02 常见问题
Q：DTESD3V3LED02 是什么器件？
A：DTESD3V3LED02 是长晶科技（JSCJ）生产的ESD静电保护二极管，采用WBFBP-02C封装。PPP 210，VRWM 3.3，VBRMIN 5。
Q：DTESD3V3LED02 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取DTESD3V3LED02的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/DTESD3V3LED02.pdf 直接下载。
Q：DTESD3V3LED02 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 DTESD3V3LED02 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：DTESD3V3LED02 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：DTESD3V3LED02 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：DTESD3V3LED02 现货价格是多少？
A：DTESD3V3LED02 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。