ESDBEF24VB1S

ESD静电保护二极管 DFNWB1.0x0.6-2L ✓ 量产中

产品定位

ESDBEF24VB1S是长晶(JSCJ)推出的高性能ESD静电保护二极管,专为高速数据接口、电源线路及信号线路的瞬态过压保护而设计。其工作电压为24V,峰值脉冲功率(PPP)高达53W,适用于需要防反接、续流及整流保护的场景,如USB接口、HDMI端口、RS-485总线等。采用DFNWB1.0x0.6-2L超小型封装,节省PCB空间,适合便携式电子设备。

整流工作原理简述

ESDBEF24VB1S作为ESD保护二极管,基于PN结雪崩击穿原理工作。在正常电压下,二极管处于截止状态,仅流过微安级的漏电流(IR典型值1μA)。当输入端出现正向瞬态过压(如ESD事件)超过其反向击穿电压(VBRMIN=25.5V,VBRMAX=40V)时,二极管迅速导通,将过压能量钳位到安全水平(VC=5.8V@IPP=9A),同时吸收高达53W的峰值脉冲功率,保护后级敏感电路。其超低结电容(CJ=0.28pF)确保高速信号完整性,不影响数据传输速率。

电气特性详解

  • 反向工作电压VRWM=24V:最高可承受24V直流电压而不导通,适用于24V电源轨或信号线。
  • 击穿电压范围VBR=25.5~40V:确保在25.5V以上可靠击穿,40V以下完全导通。
  • 漏电流IR=1μA:极低漏电,降低功耗。
  • 结电容CJ=0.28pF:适合高频信号线,如USB 2.0/3.0、HDMI、以太网等。
  • 钳位电压VC=5.8V@IPP=9A:在9A峰值脉冲电流下,钳位电压仅5.8V,有效保护低压芯片。
  • 峰值脉冲功率PPP=53W:可吸收8/20μs波形下53W的瞬态能量。

单相/三相整流应用

在整流电路中,ESDBEF24VB1S可作为续流二极管使用,例如在DC-DC转换器、电机驱动或反激电源中,与开关管并联,为电感电流提供续流通路。单相整流应用:用于24V电源输入的防反接保护,串联在电源正极,反向防止电源接反损坏电路。三相整流应用:在三相桥式整流电路中,每个桥臂可并联ESDBEF24VB1S作为吸收二极管,抑制电压尖峰。实际电路场景:在工业24V传感器接口中,该二极管可同时提供ESD保护和防反接功能,确保传感器模块安全。

散热与电流降额

ESDBEF24VB1S的功耗主要来自瞬态脉冲,而非持续电流。在正常稳态下,其漏电流功耗可忽略不计。但在频繁ESD事件或持续过压时,需考虑热效应。建议PCB布局时,将二极管靠近被保护端口,并确保焊盘有良好散热铜箔。对于持续正向电流应用,需进行降额:最大正向电流IFSM通常为9A(8/20μs),重复脉冲需降低至50%以下。环境温度高于25°C时,需按0.5%/°C降额。在高温(如85°C)环境下,PPP应降至约53W*(1-0.5%*60)=37.1W。

南山电子采购

ESDBEF24VB1S由长晶(JSCJ)原厂生产,南山电子为官方授权代理商,提供原装正品、现货供应、技术支持与样品申请。批量采购可享优惠价格与快速交货。订购热线:400-xxx-xxxx,或访问南山电子官网在线下单。

电气参数规格

参数数值单位
PPP53W
VRWM24V
VBRMIN25.5V
VBRMAX40V
IR1μA
CJ0.28pF
VC5.8V
IPP9A

ESDBEF24VB1S 常见问题

Q:ESDBEF24VB1S 是什么器件?
A:ESDBEF24VB1S 是长晶科技(JSCJ)生产的ESD静电保护二极管,采用DFNWB1.0x0.6-2L封装。PPP 53,VRWM 24,VBRMIN 25.5。
Q:ESDBEF24VB1S 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取ESDBEF24VB1S的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/ESDBEF24VB1S.pdf 直接下载。
Q:ESDBEF24VB1S 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 ESDBEF24VB1S 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:ESDBEF24VB1S 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:ESDBEF24VB1S 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:ESDBEF24VB1S 现货价格是多少?
A:ESDBEF24VB1S 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。