ESDBEF24VB1S
产品定位
ESDBEF24VB1S是长晶(JSCJ)推出的高性能ESD静电保护二极管,专为高速数据接口、电源线路及信号线路的瞬态过压保护而设计。其工作电压为24V,峰值脉冲功率(PPP)高达53W,适用于需要防反接、续流及整流保护的场景,如USB接口、HDMI端口、RS-485总线等。采用DFNWB1.0x0.6-2L超小型封装,节省PCB空间,适合便携式电子设备。
整流工作原理简述
ESDBEF24VB1S作为ESD保护二极管,基于PN结雪崩击穿原理工作。在正常电压下,二极管处于截止状态,仅流过微安级的漏电流(IR典型值1μA)。当输入端出现正向瞬态过压(如ESD事件)超过其反向击穿电压(VBRMIN=25.5V,VBRMAX=40V)时,二极管迅速导通,将过压能量钳位到安全水平(VC=5.8V@IPP=9A),同时吸收高达53W的峰值脉冲功率,保护后级敏感电路。其超低结电容(CJ=0.28pF)确保高速信号完整性,不影响数据传输速率。
电气特性详解
- 反向工作电压VRWM=24V:最高可承受24V直流电压而不导通,适用于24V电源轨或信号线。
- 击穿电压范围VBR=25.5~40V:确保在25.5V以上可靠击穿,40V以下完全导通。
- 漏电流IR=1μA:极低漏电,降低功耗。
- 结电容CJ=0.28pF:适合高频信号线,如USB 2.0/3.0、HDMI、以太网等。
- 钳位电压VC=5.8V@IPP=9A:在9A峰值脉冲电流下,钳位电压仅5.8V,有效保护低压芯片。
- 峰值脉冲功率PPP=53W:可吸收8/20μs波形下53W的瞬态能量。
单相/三相整流应用
在整流电路中,ESDBEF24VB1S可作为续流二极管使用,例如在DC-DC转换器、电机驱动或反激电源中,与开关管并联,为电感电流提供续流通路。单相整流应用:用于24V电源输入的防反接保护,串联在电源正极,反向防止电源接反损坏电路。三相整流应用:在三相桥式整流电路中,每个桥臂可并联ESDBEF24VB1S作为吸收二极管,抑制电压尖峰。实际电路场景:在工业24V传感器接口中,该二极管可同时提供ESD保护和防反接功能,确保传感器模块安全。
散热与电流降额
ESDBEF24VB1S的功耗主要来自瞬态脉冲,而非持续电流。在正常稳态下,其漏电流功耗可忽略不计。但在频繁ESD事件或持续过压时,需考虑热效应。建议PCB布局时,将二极管靠近被保护端口,并确保焊盘有良好散热铜箔。对于持续正向电流应用,需进行降额:最大正向电流IFSM通常为9A(8/20μs),重复脉冲需降低至50%以下。环境温度高于25°C时,需按0.5%/°C降额。在高温(如85°C)环境下,PPP应降至约53W*(1-0.5%*60)=37.1W。
南山电子采购
ESDBEF24VB1S由长晶(JSCJ)原厂生产,南山电子为官方授权代理商,提供原装正品、现货供应、技术支持与样品申请。批量采购可享优惠价格与快速交货。订购热线:400-xxx-xxxx,或访问南山电子官网在线下单。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| PPP | 53 | W |
| VRWM | 24 | V |
| VBRMIN | 25.5 | V |
| VBRMAX | 40 | V |
| IR | 1 | μA |
| CJ | 0.28 | pF |
| VC | 5.8 | V |
| IPP | 9 | A |