ESDUNE5V0B1

ESD静电保护二极管 DFNWB1.0x0.6-2L ✓ 量产中

产品概述

ESDUNE5V0B1是长晶科技(JSCJ)推出的ESD静电保护二极管,采用小型化DFNWB1.0x0.6-2L封装,专为高速数据接口提供静电放电(ESD)防护。其反向工作电压VRWM为5V,最大钳位电压VC为9V,峰值脉冲电流IPP达16A,可满足IEC 61000-4-2标准中±8kV(接触)和±15kV(空气)的ESD防护要求。

详细参数解析

VRWM(反向工作电压):5V,适用于3.3V或5V信号系统。
VBR(击穿电压):5.8V~7.5V,确保在过压时快速启动保护。
IR(反向漏电流):典型值1μA,低功耗设计。
CJ(结电容):80pF,适合低速信号,但对于高速信号(如USB 2.0)可能需关注信号完整性。
VC(钳位电压):9V @ IPP=16A,有效限制浪涌电压。
PPP(峰值脉冲功率):144W(8/20μs波形),提供强大浪涌吸收能力。

不同工况下的性能特点

正常工况:ESDUNE5V0B1在5V以下不导通,漏电流极低,不影响电路正常工作。
ESD事件:当瞬态电压超过击穿电压时,二极管迅速导通,将电压钳位在9V以下,保护后端电路。
温度影响:工作温度范围-55°C至+125°C,在高温下漏电流略有增加,但性能稳定。

典型应用电路

将ESDUNE5V0B1并联在被保护信号线与地之间,阳极接地,阴极接信号线。推荐用于USB 2.0、HDMI、以太网等接口的ESD防护。电路布局时应尽量靠近接口,减少寄生电感。

选型建议

对于5V以下信号系统,ESDUNE5V0B1是经济型选择。若需更低结电容(<10pF)用于高速信号(如USB 3.0),建议选用其他低容型号。

采购渠道

可通过长晶科技授权代理商或在线平台(如南山电子、华强北)采购,批量价格请联系供应商。

电气参数规格

参数数值单位
PPP144W
VRWM5V
VBRMIN5.8V
VBRMAX7.5V
IR1μA
CJ80pF
VC9V
IPP16A

ESDUNE5V0B1 常见问题

Q:ESDUNE5V0B1 是什么器件?
A:ESDUNE5V0B1 是长晶科技(JSCJ)生产的ESD静电保护二极管,采用DFNWB1.0x0.6-2L封装。PPP 144,VRWM 5,VBRMIN 5.8。
Q:ESDUNE5V0B1 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取ESDUNE5V0B1的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/ESDUNE5V0B1.pdf 直接下载。
Q:ESDUNE5V0B1 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 ESDUNE5V0B1 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:ESDUNE5V0B1 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:ESDUNE5V0B1 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:ESDUNE5V0B1 现货价格是多少?
A:ESDUNE5V0B1 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。