ESDUNF15VB1
ESD静电保护二极管 DFNWB1.0x0.6-2L-G ✓ 量产中
产品定位与保护原理
ESDUNF15VB1是长晶科技（JSCJ）推出的单向ESD静电保护二极管，专为高速数据接口和电源线提供可靠的ESD和浪涌保护。基于硅雪崩击穿原理，当瞬态电压超过击穿电压时，器件迅速导通，将过压能量泄放到地，从而保护后端敏感电路。
关键保护参数解析
- 击穿电压（VBRMIN=16V）：确保在16V时开始雪崩击穿，提供精确的电压钳位。
- 钳位电压（VC=24V）：在IPP=30A时，最大钳位电压仅24V，有效保护低压芯片。
- 峰值脉冲功率（PPP=720W）：8/20μs波形下可承受720W峰值功率，满足工业级浪涌需求。
- 漏电流（IR=1μA）：极低漏电流，不影响信号完整性。
- 结电容（CJ=70pF）：适用于高频信号，如USB 2.0、HDMI 1.3等。
通信接口保护应用
推荐用于USB 2.0、HDMI、以太网等接口的ESD保护。ESDUNF15VB1的低钳位电压和快速响应时间可确保数据信号不受干扰，同时有效抑制静电放电。
电源线保护应用
适用于12V/15V电源轨的过压保护，如DC-DC转换器输入端、电池充电电路等。其720W的峰值功率可承受较大的浪涌电流，保护电源管理IC。
PCB布局原则
- 将ESDUNF15VB1尽可能靠近被保护接口放置，减少寄生电感。
- 确保接地路径短而宽，降低回路阻抗。
- 避免在保护器件与被保护线之间布设其他走线。
采购信息
型号：ESDUNF15VB1，品牌：长晶（JSCJ），封装：DFNWB1.0x0.6-2L-G，包装：编带盘装。可提供样品和批量供货，欢迎咨询。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| PPP | 720 | W |
| VRWM | 15 | V |
| VBRMIN | 16 | V |
| IR | 1 | μA |
| CJ | 70 | pF |
| VC | 24 | V |
| IPP | 30 | A |
ESDUNF15VB1 常见问题
Q：ESDUNF15VB1 是什么器件？
A：ESDUNF15VB1 是长晶科技（JSCJ）生产的ESD静电保护二极管，采用DFNWB1.0x0.6-2L-G封装。PPP 720，VRWM 15，VBRMIN 16。
Q：ESDUNF15VB1 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取ESDUNF15VB1的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/ESDUNF15VB1.pdf 直接下载。
Q：ESDUNF15VB1 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 ESDUNF15VB1 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：ESDUNF15VB1 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：ESDUNF15VB1 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：ESDUNF15VB1 现货价格是多少？
A：ESDUNF15VB1 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。