UMN1N

产品定位

UMN1N是长晶科技（JSCJ）推出的一款高速开关二极管，采用SOT-353封装，专为低电流、高速开关应用设计。其80V反向耐压和25mA正向电流能力，使其在整流、续流、防反接等场景中表现出色，特别适用于便携设备、电源管理及信号处理电路。

整流工作原理简述

二极管整流利用PN结的单向导电性：当正向偏置（阳极电压高于阴极）时，电流导通；反向偏置时截止。UMN1N在正向导通时压降仅0.9V（@5mA），反向漏电流低至0.1μA（@70V），确保高效整流。其4ns的反向恢复时间（TRR）支持高频开关，减少开关损耗。

电气特性详解

• 最大额定值：反向电压VR=80V，正向电流IO=25mA，功耗PD=150mW（典型应用需降额）。
• 正向特性：VF=0.9V（@IF=5mA），低导通压降降低功耗，适合低压电路。
• 反向特性：IR=0.1μA（@VR=70V），高温下仍保持低漏电流，可靠性高。
• 开关特性：TRR=4ns，支持MHz级开关频率，适用于DC-DC转换器、信号整流等。

单相/三相整流应用

单相整流：在5V/3.3V电源中，UMN1N可用于半桥或全桥整流，如手机充电器次级整流。其低VF和快TRR可提升效率，减少发热。三相整流：在电机驱动或工业电源中，三颗UMN1N组成三相桥式整流，每相电流25mA，耐压80V，适合小功率辅助电源。

散热与电流降额

SOT-353封装热阻较高（约300°C/W），PD=150mW需保证PCB散热。实际应用中，建议IO降额至20mA（环境温度85°C），或增加铜箔面积。若环境温度超过125°C，需进一步降额或选用更大封装。

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