1SMB5950B 保护二极管：JSCJ长晶，110V 3kW ESD/浪涌/过压保护

1SMB5950B是长晶（JSCJ）推出的保护二极管，属于稳压二极管（齐纳二极管）子类，采用SMBG封装。该器件专为电路保护设计，可有效吸收ESD、浪涌和过压能量，确保电子设备安全。其核心参数包括：峰值功率PD=3000W，典型击穿电压VZTYP=110V，最小击穿电压VZMIN=104.5V，最大击穿电压VZMAX=115.5V，测试电流IZT=3.4mA，反向漏电流IR=1μA（在VR=83.6V条件下）。

产品定位与保护原理

1SMB5950B作为一种齐纳二极管，利用反向雪崩击穿效应实现电压钳位。当电路中出现过压瞬态时，二极管迅速进入击穿区，将电压限制在安全范围内，同时泄放浪涌电流。其3kW的峰值功率能力使其能应对高能量浪涌，适用于工业、通信和消费电子等场合。

关键保护参数解析

击穿电压（VZ）

1SMB5950B的击穿电压范围为104.5V至115.5V，典型值为110V。该参数决定了保护阈值，确保在正常电压下不误触发，而在过压时快速动作。

钳位电压

当发生浪涌时，二极管两端电压会略有升高，但通常低于击穿电压的1.3倍。本器件在3.4mA测试电流下钳位电压接近110V，响应时间在纳秒级。

峰值功率（PD）

PD=3000W（8/20μs波形），表明该二极管能承受高达3kW的瞬态功率，适合保护电源线和信号线免受雷击或感性负载切换产生的浪涌。

通信接口保护应用

在RS-485、CAN总线、以太网等通信接口中，1SMB5950B可并联在信号线与地之间，提供共模和差模保护。其低漏电流（1μA）不影响信号质量，而快速响应能力可抑制ESD事件，保护收发器芯片。

电源线保护应用

在DC电源输入端，1SMB5950B可放置在保险丝之后、负载之前，吸收来自电源线的浪涌。对于110V的电源轨，该二极管提供精确的过压钳位，防止后级电路受损。

PCB布局原则

• 将1SMB5950B尽可能靠近被保护器件放置，以减少寄生电感。
• 确保从被保护线到二极管的走线短而宽，降低阻抗。
• 在二极管和地之间使用大面积铜皮或过孔阵列，提供低阻抗回路。
• 避免在二极管与被保护器件之间放置其他元件，以防延迟响应。

采购信息

1SMB5950B由长晶科技（JSCJ）生产，SMBG封装，符合RoHS标准。可提供卷带包装，适用于自动化贴装。如需样品或批量采购，请联系授权分销商。库存充足，支持全球发货。