CJPF04N65
沟槽型MOSFET TO-220F ✓ 量产中
产品概述
CJPF04N65是长晶科技（JSCJ）推出的650V/4A N沟道沟槽型MOSFET，采用TO-220F全塑封封装，具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关特性。适用于开关电源、LED驱动、AC-DC转换器等高压应用。
封装尺寸与引脚说明
TO-220F封装尺寸：主体长度10.4mm，宽度4.5mm，高度9.3mm。引脚间距2.54mm。引脚定义：1-栅极（G），2-漏极（D），3-源极（S）。安装时建议使用M3螺丝固定，扭矩0.5-0.6N·m。注意绝缘垫片需良好贴合，散热器表面平整度≤0.1mm。
热阻参数解析
热阻参数是散热设计关键：RthJC（结到壳热阻）典型值3.2°C/W，RthJA（结到环境热阻）62°C/W。RthJC表示从芯片到封装表面的热阻，RthJA表示从芯片到周围空气的热阻。实际应用中需根据散热条件计算结温。
最大功耗计算方法
最大功耗Pd_max = (Tj_max - Tc) / RthJC，其中Tj_max=150°C，Tc为壳温。例如Tc=25°C时，Pd_max=(150-25)/3.2≈39W。实际设计需留余量，建议壳温不超过100°C。
散热片选型建议
推荐使用铝制散热片，热阻RthHS ≤ (Tj_max - Ta)/Pd - RthJC - RthCS。假设Ta=50°C，Pd=20W，RthCS=0.5°C/W（硅脂），则RthHS ≤ (150-50)/20 - 3.2 - 0.5 = 1.3°C/W。可选型散热片尺寸约40x40x20mm，强制风冷可减小尺寸。
电气参数
- 漏源电压VDS：650V
- 栅源电压VGS：±30V
- 连续漏电流ID：4A
- 导通电阻RDS(on)：2.5Ω@VGS=10V, ID=2A
- 阈值电压VGS(th)：2.0~4.0V
- 总栅极电荷Qg：15nC
- 输入电容Ciss：450pF
- 输出电容Coss：45pF
采购渠道
可通过长晶授权代理商或电子元器件电商平台（长晶、南山电子等）采购。批量采购可联系JSCJ官方销售。注意核对产品标识：CJPF04N65，批次代码需与数据手册一致。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Planar | |
| ESD | No | |
| VDS | 650 | V |
| VGS | ±30 | V |
| ID | 4 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 2500 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 3000 | mΩ |
CJPF04N65 常见问题
Q：CJPF04N65 是什么器件？
A：CJPF04N65 是长晶科技（JSCJ）生产的沟槽型MOSFET，采用TO-220F封装。TYPE Single-N，PROCESS Planar，ESD No。
Q：CJPF04N65 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJPF04N65的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJPF04N65.pdf 直接下载。
Q：CJPF04N65 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJPF04N65 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJPF04N65 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJPF04N65 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJPF04N65 现货价格是多少？
A：CJPF04N65 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。