UMT1N
小信号双晶体管 SOT-363 ✓ 量产中
产品概述
UMT1N是长晶科技（JSCJ）推出的PNP小信号双晶体管，采用SOT-363封装，内部集成两个独立的PNP晶体管。该器件具有-50V的集电极-发射极击穿电压（VCEO）和-150mA的集电极电流能力（IC），功耗为150mW。UMT1N适用于低功耗开关、信号放大及驱动电路，特别适合便携式设备、电池管理及音频处理等应用。南山电子作为长晶授权代理，提供原厂正品及技术支持。
详细参数解析
- 极性（POLARITY）：PNP，适合负电源或互补电路设计。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-50V，满足多数低压电路需求，提供足够耐压余量。
- 功耗（PCM）：150mW，确保在小型SOT-363封装下安全工作。
- 集电极电流（IC）：-150mA，适用于小信号驱动和开关。
- 集电极-基极电压（VCBO）：-60V，高于VCEO，增强可靠性。
- 发射极-基极电压（VEBO）：-6V，防止反向击穿。
- 直流电流增益（hFE）：在VCE=-6V，IC=-1mA条件下，hFE范围120-560，提供高增益且一致性好。
- 饱和压降（VCESAT）：在IC=-50mA，IB=-5mA时，典型值-0.5V，低损耗。
典型应用电路说明
UMT1N可构成达林顿对、差分放大器、电流镜或推挽输出级。例如，在低功耗音频前置放大器中，两个晶体管可组成两级放大，利用高hFE实现高增益。在开关应用中，可驱动小负载如LED或继电器。设计时需注意基极电阻和偏置电压，确保工作在安全区。
选型注意事项
- 确认电路工作电压不超过VCEO（-50V）和VCBO（-60V）。
- 集电极电流不超过-150mA，功耗不超过150mW，注意降额使用。
- hFE范围较宽，设计时需考虑增益变化，避免电路性能分散。
- SOT-363封装体积小，焊接和散热需谨慎。
采购渠道
UMT1N由长晶科技（JSCJ）生产，南山电子（Nanshan Electronics）作为授权代理，提供正品保障和快速交货。可通过南山电子官网或联系销售团队获取样品、报价和技术资料。批量采购可享受价格优势及技术支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| POLARITY | PNP | |
| VCEO | -50 | V |
| PCM | 150 | mW |
| IC | -150 | mA |
| VCBO | -60 | V |
| VEBO | -6 | V |
| HFE VCE | -6 | V |
| HFE MIN | 120 | |
| HFE MAX | 560 | |
| HFE IC | -1 | mA |
| VCESAT | -0.5 | V |
| VCE IC | -50 | mA |
| VCE IB | -5 | mA |
UMT1N 常见问题
Q：UMT1N 是什么器件？
A：UMT1N 是长晶科技（JSCJ）生产的小信号双晶体管，采用SOT-363封装。POLARITY PNP，VCEO -50，PCM 150。
Q：UMT1N 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取UMT1N的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/UMT1N.pdf 直接下载。
Q：UMT1N 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 UMT1N 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：UMT1N 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：UMT1N 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：UMT1N 现货价格是多少？
A：UMT1N 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。