UMX1N
小信号双晶体管 SOT-363 ✓ 量产中
产品概述
UMX1N是长晶科技（JSCJ）推出的一款高性能小信号双NPN晶体管，采用SOT-363微型封装，专为空间受限的电路设计。其集电极-发射极耐压VCEO高达50V，集电极电流IC达150mA，功耗PCM为150mW，适用于信号放大、开关控制及驱动电路。作为国产优质器件，UMX1N由南山电子代理供应，确保原厂正品与稳定供货。
详细参数解析
- 极性（POLARITY）：NPN，适合共射极放大和正逻辑开关。
- VCEO（集电极-发射极击穿电压）：50V，确保在高压电路中可靠工作，适用于48V系统。
- PCM（最大功耗）：150mW，SOT-363封装下散热良好，适合低功耗设计。
- IC（集电极电流）：150mA，可驱动小型继电器或LED。
- VCBO（集电极-基极击穿电压）：60V，高于VCEO，提供更宽的安全裕度。
- VEBO（发射极-基极击穿电压）：7V，防止反向偏置损坏。
- HFE（直流电流增益）：在VCE=6V、IC=1mA下，最小120，最大560，意味着高放大能力，适合小信号放大。
- VCESAT（饱和压降）：0.4V（IC=50mA，IB=5mA），低饱和压降有助于提高开关效率。
典型应用电路说明
UMX1N双晶体管可独立使用或构成差分对、达林顿结构。常见应用包括：
- 音频前置放大：利用高hFE放大微弱信号。
- 逻辑电平转换：将3.3V信号转换为5V。
- 恒流源：配合电阻稳定电流。
例如，在差分放大电路中，两个晶体管匹配性好，可有效抑制共模噪声。
选型注意事项
- 确认VCEO和IC满足系统最大电压电流要求。
- 注意hFE随温度变化，高温时增益下降。
- SOT-363焊接时避免过热，建议使用回流焊。
- 若需更高功率，可选择SOT-23封装替代品。
采购渠道
UMX1N由长晶JSCJ原厂生产，南山电子作为授权代理，提供现货供应和技术支持。可访问南山电子官网或联系销售获取样品、报价及数据手册。批量采购享有优惠，交期稳定。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| POLARITY | NPN | |
| VCEO | 50 | V |
| PCM | 150 | mW |
| IC | 150 | mA |
| VCBO | 60 | V |
| VEBO | 7 | V |
| HFE VCE | 6 | V |
| HFE MIN | 120 | |
| HFE MAX | 560 | |
| HFE IC | 1 | mA |
| VCESAT | 0.4 | V |
| VCE IC | 50 | mA |
| VCE IB | 5 | mA |
UMX1N 常见问题
Q：UMX1N 是什么器件？
A：UMX1N 是长晶科技（JSCJ）生产的小信号双晶体管，采用SOT-363封装。POLARITY NPN，VCEO 50，PCM 150。
Q：UMX1N 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取UMX1N的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/UMX1N.pdf 直接下载。
Q：UMX1N 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 UMX1N 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：UMX1N 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：UMX1N 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：UMX1N 现货价格是多少？
A：UMX1N 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。