UMX3N

产品简介

UMX3N是长晶科技（JSCJ）推出的一款小信号NPN双晶体管，采用SOT-363封装，额定VCEO为50V，IC为150mA，PCM为150mW。该器件内部集成两个独立的NPN晶体管，适用于信号放大、逻辑电平转换、开关控制等场景。其高hFE（120~560）和低饱和压降（VCESAT=0.4V）特性，使其在低功耗设计中表现优异。

工作原理简述

UMX3N中的每个NPN晶体管均为电流控制型器件。当基极-发射极正向偏置（VEBO≤7V）且基极电流IB足够时，集电极-发射极导通，形成IC=β×IB的电流关系。在开关应用中，需确保基极驱动电流使晶体管进入饱和区（VCE

基极/集电极驱动设计要点

基极电阻选择：根据所需IC和最小hFE（120）计算IB。例如，IC=100mA时，IB≥100mA/120≈0.83mA。考虑驱动电压Vin（如3.3V或5V），基极电阻RB=(Vin-VBE)/IB，VBE约0.7V。推荐使用1kΩ~10kΩ电阻，避免过驱动导致存储时间增加。

集电极负载：确保集电极电流不超过150mA，且VCE不超过50V。若驱动感性负载（如继电器），需并联续流二极管。

交叉耦合：两个晶体管独立工作，但共用衬底，建议在PCB布局中保持间距，避免热耦合影响参数一致性。

散热与PCB布局建议

尽管PCM仅150mW，但在高密度PCB中仍需注意散热。SOT-363封装的热阻RθJA约为300°C/W，因此环境温度25°C时，允许功耗P= (150-25)/300≈0.417W，超过额定值。建议：

• 避免长时间接近热源（如功率电阻、LDO）。
• 在晶体管下方铺设铜皮，增加散热面积。
• 保持通风，或使用局部散热过孔。

保护电路设计

为防止过压和过流损坏，建议：

• 在基极-发射极间并联反向二极管（如1N4148），防止负向电压击穿（VEBO≤7V）。
• 集电极-发射极间并联TVS管（如SMAJ50A），吸收瞬态过压。
• 基极串联限流电阻，限制IB在安全范围内（通常≤5mA）。

代理商信息

长晶科技UMX3N现已批量供货，可通过官方授权代理商深圳市长晶电子、华强北柜台或线上平台（如南山电子）采购。样品申请请联系JSCJ技术支持。