UMY1N

UMY1N 产品概述

UMY1N 是长晶科技（JSCJ）推出的一款小信号双晶体管，内部集成一个PNP管和一个NPN管，采用紧凑的SOT-353封装。该器件专为低功耗、小尺寸应用设计，广泛应用于信号放大、开关控制、电流镜像等电路中。

封装规格说明

UMY1N 采用SOT-353封装，这是一种5引脚表面贴装封装，尺寸约为2.0mm x 1.25mm x 0.9mm，适合高密度PCB设计。引脚排列为：1-基极（PNP），2-发射极（NPN），3-集电极（NPN），4-发射极（PNP），5-集电极（PNP）。具体引脚功能请参考官方数据手册。

完整电气参数解读

UMY1N 包含两个独立晶体管，参数分别对应PNP和NPN：

• 集电极-发射极耐压 VCEO：PNP -50V，NPN 50V
• 集电极电流 IC：PNP -150mA，NPN 150mA
• 总功耗 PCM：每个晶体管150mW（合计300mW，需注意散热）
• 集电极-基极耐压 VCBO：PNP -60V，NPN 60V
• 发射极-基极耐压 VEBO：PNP -6V，NPN 7V
• 直流电流增益 HFE：在VCE=-6V/6V、IC=-1mA/1mA条件下，最小120，最大560
• 饱和压降 VCESAT：PNP -0.5V（IC=-50mA，IB=-5mA），NPN 0.4V（IC=50mA，IB=5mA）

注意：参数中的负号表示PNP管电压/电流方向与NPN相反。

使用注意事项与极限条件

为确保可靠运行，请遵守以下极限值：

• 每个晶体管功耗不超过150mW，总功耗不超过300mW（需考虑环境温度和PCB散热）
• 集电极-发射极电压不得超过VCEO额定值
• 基极电流不得使发射结反向击穿（VEBO极限）
• 工作温度范围：-55°C ~ +150°C
• 焊接温度建议不超过260°C（10秒）

典型应用一览

UMY1N 常用于以下场景：

• 音频信号放大（前级驱动）
• 小信号开关（如逻辑电平转换）
• 电流源/镜像电路
• 差分放大电路
• 电池管理中的低功耗控制

替代型号参考

如需寻找替代型号，可考虑以下器件（需确认引脚兼容性）：

• BC847S / BC857S 系列（类似双管，但参数略有差异）
• IMT1A / IMT1B（不同封装）
• UMD1N（相近型号）

建议根据实际电路参数对比数据手册。

采购渠道

如需采购UMY1N，请联系南京南山电子（www.nscn.com.cn）获取最新库存和报价。南山电子作为长晶科技授权分销商，提供正品保证和技术支持。