2SC4177

产品概述

2SC4177是长晶科技（JSCJ）推出的NPN型硅外延平面晶体管，采用SOT-323超小型封装，适用于表面贴装工艺。该器件具有高击穿电压、低饱和压降和宽HFE范围等特点，广泛应用于通用开关和放大电路中。作为长晶官方授权代理商，南山电子提供原厂正品及技术支持。

详细参数解析

• 极性（POLARITY）：NPN，适合正电源供电的共发射极电路。
• 集电极耗散功率（PCM）：0.15W，确保在额定温度下安全工作，需注意散热。
• 集电极电流（IC）：0.1A，适用于小信号处理，如驱动LED或继电器。
• 集电极-基极击穿电压（VCBO）：60V，提供高耐压余量，适合30V以下电源系统。
• 集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V，满足大多数低压电路需求。
• 发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V，防止反向击穿。
• 直流电流增益（HFE）：90~600（VCE=6V, IC=1mA），宽范围便于设计灵活匹配。
• 集电极-发射极饱和电压（VCESAT）：0.3V（IC=0.1A, IB=0.01A），低损耗，提升效率。

典型应用电路说明

该器件常用于以下电路：

• 开关电路：驱动继电器或LED，基极电阻需根据HFE计算（例如IC=50mA时，IB≥0.5mA）。
• 放大电路：小信号音频预放大，需设置合适静态工作点（VCE≈VCC/2）。
• 电平转换：3.3V至5V逻辑电平转换，采用共发射极结构。

注意：最大集电极电流0.1A，不可用于功率负载。

选型注意事项

• 确认封装SOT-323，与PCB焊盘匹配。
• 功耗0.15W，在高温环境下需降额使用。
• HFE范围较宽，同一批次可能差异较大，设计时需考虑最坏情况。
• 饱和电压低，适合低电压应用。

采购渠道

长晶JSCJ 2SC4177由南山电子（深圳）有限公司代理销售，提供样品、小批量及大批量供货。可通过官网或授权分销商下单，确保原厂正品及技术支持。