BAS116
BAS116 快恢复二极管 — 长晶JSCJ 75V/200mA SOT-23
BAS116是长晶科技(JSCJ)推出的一款快恢复开关二极管,采用SOT-23表贴封装,反向恢复时间Trr典型值3μs,最大重复峰值反向电压VR=75V,正向平均电流IO=200mA。其快速恢复特性有效降低开关损耗,广泛应用于高频开关电源、续流二极管、保护电路及通用开关场景。
产品定位:快速恢复二极管
BAS116属于快恢复二极管(Fast Recovery Diode),反向恢复时间Trr为3μs(典型值),介于普通整流管(数μs至数十μs)和超快恢复管(<100ns)之间。适合频率在几十kHz至数百kHz的开关电源次级整流、续流及保护电路,在耐压与速度之间取得平衡。
反向恢复时间Trr参数解析
Trr=3μs意味着二极管从正向导通切换到反向阻断时,反向电流从峰值衰减到10%所需的时间。较短的Trr可减少开关管(如MOSFET)的电压尖峰和电磁干扰(EMI),降低开关损耗。对于100kHz左右的工作频率,BAS116的Trr足以保证安全切换,避免因反向恢复电流过大导致器件过热或损坏。
高频开关电源应用
在反激式、正激式或LLC谐振变换器中,BAS116常用于次级整流或续流。其75V耐压可覆盖5V、12V、24V等常规输出电源的应力要求,200mA的电流能力适合小功率辅助电源或控制电路供电。SOT-23封装节省PCB面积,适合高密度设计。
与肖特基对比的场景选择
肖特基二极管(如SS34)正向压降VF更低(约0.5V),但反向耐压通常较低(≤60V),且在高温下反向漏电流IR急剧增大。BAS116的VF为1.25V(@150mA),耐压75V,IR仅5μA(@75V)。当电路对漏电流敏感(如电池供电设备)或需要更高耐压时,应选择快恢复二极管;若追求极低VF且耐压足够,肖特基更优。
自由续流二极管应用
在继电器线圈、直流电机、电磁阀等感性负载中,BAS116可作为续流二极管,在开关关断时提供电流通路,保护开关器件。其快速恢复特性可抑制反向电动势尖峰,减少电磁干扰。200mA的额定电流适用于小功率感性负载。
采购渠道
长晶(JSCJ)BAS116通过授权分销商和电商平台(如南山电子、华强芯城)供应,提供卷带包装(3000pcs/盘)。支持免费样品申请,批量价格优惠。库存充足,交期1-3天。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| PD | 225 | mW |
| IO | 200 | mA |
| VR | 75 | V |
| VF | 1.25 | V |
| VF IF | 150 | mA |
| IR | 0.005 | μA |
| IR VR | 75 | V |
| TRR | 3000 | ns |