BAS21W

肖特基二极管 vs 普通二极管：BAS21W的优势

肖特基二极管（SBD）采用金属-半导体结，具有低正向压降（VF）和快速开关特性。与普通PN结二极管相比，BAS21W的VF仅1.25V（@200mA），而普通二极管通常为0.7-1.5V，但肖特基在相同电流下功耗更低，尤其适合低压大电流场景。此外，其反向恢复时间（trr）仅50ns，远快于普通二极管的纳秒至微秒级，显著降低开关损耗，提升高频电路效率。

详细参数

• 型号：BAS21W
• 品牌：长晶（JSCJ）
• 子类：开关二极管
• 封装：SOT-323
• 功耗（PD）：200mW
• 正向电流（IO）：200mA
• 反向电压（VR）：250V
• 正向压降（VF）：1.25V（IF=200mA）
• 反向漏电流（IR）：0.1μA（VR=200V）
• 反向恢复时间（trr）：50ns

开关电源整流应用

在开关电源中，整流二极管需承受高频脉冲电流。BAS21W的trr仅为50ns，可大幅减少开关损耗，提升电源转换效率（通常可达90%以上）。其低VF特性（1.25V）相比普通二极管（约1.0V@200mA）可降低约0.25V压降，在200mA输出时节省50mW功耗，有助于实现小型化和节能设计。典型应用包括DC-DC转换器输出整流、反激式电源次级侧整流等。

高频电路应用

高频电路（如RF整流、混频器、检波器）对二极管的开关速度要求极高。BAS21W的trr=50ns，可工作于数十MHz频率，且结电容低（典型值2pF），减少信号失真。其高反向电压（250V）和低漏电流（0.1μA）确保在高压高频下稳定工作，适用于无线充电接收端、高速数据线保护等场景。

选用注意事项：反向漏电流

肖特基二极管的反向漏电流（IR）随温度升高而增大。BAS21W在25℃时IR仅0.1μA（VR=200V），但高温下可能升至数十μA。设计时需考虑散热，避免结温超过150℃。此外，在高温或高反向偏压下，漏电流可能导致热失控，建议降额使用（如VR不超过80%额定值）。对于低功耗应用，其低漏电流特性可延长电池寿命。

采购渠道

长晶JSCJ BAS21W SOT-323封装，货源稳定，支持样品和批量。可通过授权代理商、京东、淘宝等平台采购。建议认准原装正品，避免使用劣质器件导致电路失效。批量采购可联系长晶官方或授权分销商获取优惠价格。