CJDR9112
驱动IC DFNWB2x2-8L ✓ 量产中
器件定位
CJDR9112是长晶科技（JSCJ）推出的单通道全桥驱动集成电路，内部集成FET（N沟道和P沟道），适用于低压直流电机（BDC）驱动。其DFNWB2x2-8L封装节省空间，适合便携设备、玩具、IoT模块等小型化应用。
典型应用方案框图描述
典型应用包括：1）电池供电的直流电机正反转控制；2）步进电机单极驱动；3）电磁阀或继电器驱动。系统由MCU输出PWM或IN/IN控制信号，经CJDR9112直接驱动负载。电源端并联10μF电解电容和0.1μF陶瓷电容，确保瞬态响应。
参数配置说明
- 供电范围：VS=2V~6V，推荐5V或3.3V逻辑电平。
- 控制模式：支持PWM和IN/IN模式，通过独立输入控制H桥开关。
- 输出电流：满量程1.1A，峰值2.2A（脉宽限制）。
- 导通电阻：HS+LS典型480mΩ，降低功耗。
- 睡眠电流：0μA（睡眠模式），适用于电池供电。
- 工作温度：-40°C~100°C。
外围电路设计要点
- 电源去耦：在VS和GND间放置10μF+0.1μF电容，靠近芯片引脚。
- 输入保护：控制信号加10kΩ上拉电阻，避免浮空。
- 输出滤波：电机两端并联0.01μF电容，抑制EMI。
- 电流检测：如需限流，可在电源回路串联采样电阻。
- 散热设计：确保PCB铜箔面积满足散热需求。
常见问题与注意事项
- 问：电机启动电流过大怎么办？答：采用软启动PWM，逐渐增加占空比。
- 问：芯片过热保护？答：内置热关断，需改善散热或降低负载。
- 问：EMI超标？答：在电机线加磁环或RC吸收网络。
- 注意：避免VS反接，可串联肖特基二极管。
代理采购
长晶CJDR9112现由授权代理商供应，提供样品和技术支持。批量采购请联系销售团队获取报价，交期4-6周。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| SUB FAMILY | BDC | |
| ARCHITECTURE | Integrated FET | |
| NUMBER OF FULL BRIDGE | 1 | |
| CONTROL MODE | PWM, IN / IN | |
| VS MIN | 2 | V |
| VS MAX | 6 | V |
| FULL SCALE CURRENT | 1.1 | |
| PEAK OUTPUT CURRENT | 2.2 | |
| RDS ON HS LS | 480 | |
| SLEEP CURRENT | 0 | |
| OPERATING TEMPERATURE RANGE | -40 ~ 100 |
CJDR9112 常见问题
Q：CJDR9112 是什么器件？
A：CJDR9112 是长晶科技（JSCJ）生产的驱动IC，采用DFNWB2x2-8L封装。SUB_FAMILY BDC，ARCHITECTURE Integrated FET，NUMBER_OF_FULL_BRIDGE 1。
Q：CJDR9112 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJDR9112的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJDR9112.pdf 直接下载。
Q：CJDR9112 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJDR9112 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJDR9112 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJDR9112 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJDR9112 现货价格是多少？
A：CJDR9112 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。