长晶JSCJ CJ74LV164BDN 8位串入并出移位寄存器

长晶JSCJ推出的CJ74LV164BDN是一款高性能8位串行输入/并行输出移位寄存器，采用TSSOP14封装，工作电压范围1V至5.5V，兼容LV系列逻辑标准。该器件专为需要扩展数字输出端口或实现串行数据转并行控制的电源管理系统而设计，特别适用于低功耗、高效率的工业与消费电子应用。

拓扑类型与工作模式

CJ74LV164BDN采用标准CMOS移位寄存器架构，支持串行数据输入（DS1、DS2）和异步清零（MR），通过时钟（CP）上升沿逐位移位，最终在Q0-Q7并行输出。其工作模式包括：正常移位模式、清零模式，以及通过控制输入实现的数据保持。该器件在1V低电压下仍能可靠工作，非常适合电池供电或能量采集系统中的电平转换与信号扩展。

效率曲线与轻载性能

得益于LV系列的低功耗特性，CJ74LV164BDN在静态时仅消耗微安级电流（典型值<1μA），动态功耗随频率线性增加。在3.3V供电、10MHz时钟下，典型功耗仅约5mW。轻载时（如输出负载电容<15pF），器件保持极低的动态电流，确保系统整体效率不受影响。其宽电压范围（1-5.5V）使得在低电压下仍能维持足够的驱动能力，适合与各类电源管理IC协同工作。

保护功能

虽然CJ74LV164BDN属于逻辑IC，但其设计包含内置ESD保护（HBM 2000V），以及输入钳位二极管，可防止过压（OVP）和反向电流。输出端具有限流能力，可承受短暂过流（OCP）而不损坏。工作温度范围-40°C至+125°C，具备过温保护（OTP）特性，确保在恶劣环境下稳定运行。

外围元器件选型

为充分发挥CJ74LV164BDN性能，建议外围电路如下：在电源引脚VCC与GND之间并联0.1μF陶瓷电容（靠近引脚放置），用于高频去耦；若供电线路较长，可增加10μF电解电容。输入信号（DS1、DS2、CP、MR）需确保上升/下降时间<5ns，必要时可串联33Ω电阻抑制振铃。输出端如需驱动较大负载（如LED），需外接限流电阻或缓冲器。参考电路设计：VCC=3.3V, C1=0.1μF, R_pullup=10kΩ（MR引脚）。

购买信息

南山电子作为长晶JSCJ授权代理商，提供CJ74LV164BDN原装正品，支持小批量样品和批量订购。库存充足，交期快，提供免费样品和技术支持。如需选型或电路设计帮助，请联系南山电子客服。