CJAC65SN10

SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中

高压MOSFET产品概述

CJAC65SN10是长晶(JSCJ)推出的100V/65A N沟道SGT MOSFET,采用先进的屏蔽栅沟槽(SGT)工艺,专为高压工业应用设计。其PDFNWB5x6-8L封装提供优异的热性能和低寄生参数,适用于光伏逆变器、工业变频器及充电桩等高压高可靠性场景。

耐压裕量与可靠性

器件额定VDS为100V,VGS为±20V,确保在高压瞬态条件下具有充足的耐压裕量。SGT工艺降低了米勒电容,提升开关速度和抗干扰能力。产品通过严格的可靠性测试,包括高温反偏、温度循环及湿敏等级测试,确保长期稳定运行。

电气参数详解

典型导通电阻RDS(on)在VGS=10V时为8.9mΩ,VGS=12V时低至12.1mΩ,有效降低导通损耗。阈值电压VGSTH范围为1.0~2.5V,确保低电压驱动兼容性。ID高达65A,满足大电流需求。无ESD保护设计,需注意ESD防护。

光伏逆变器应用

在光伏逆变器中,CJAC65SN10用于DC/DC升压和DC/AC逆变桥路。其低导通电阻和快速开关特性提升转换效率,高耐压裕量确保在电网波动下安全运行。典型应用包括组串式逆变器和微型逆变器。

工业变频应用

在工业变频器中,该MOSFET用于电机驱动和电源转换。其SGT结构降低开关损耗,PDFN封装改善散热,适用于高频PWM控制。高可靠性满足工业级温度范围和振动环境要求。

安全使用规范

使用CJAC65SN10时需注意:驱动电压建议12V以充分导通;设计散热片确保结温不超过175°C;PCB布局需缩短回路并增加去耦电容;避免超过绝对最大额定值;焊接温度曲线应符合PDFN封装要求。

代理采购

长晶JSCJ CJAC65SN10现货供应,原厂正品,支持样品申请。如需批量采购或技术咨询,请联系授权代理商。提供完整技术文档和设计支持,助力产品快速上市。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSSGT
ESDNo
VDS100V
VGS±20V
ID65A
VGSTH1.0~2.5V
RDSM VGS8.9
RDSM VGS 1011
RDSM VGS 1112.1
RDSM VGS 1217

CJAC65SN10 常见问题

Q:CJAC65SN10 是什么器件?
A:CJAC65SN10 是长晶科技(JSCJ)生产的SGT MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS SGT,ESD No。
Q:CJAC65SN10 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC65SN10的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC65SN10.pdf 直接下载。
Q:CJAC65SN10 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJAC65SN10 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJAC65SN10 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJAC65SN10 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJAC65SN10 现货价格是多少?
A:CJAC65SN10 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。