CJAC80SN10H
SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
产品概述
CJAC80SN10H是长晶科技（JSCJ）推出的SGT(Split Gate Trench)工艺N沟道MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。其100V耐压、80A连续电流能力，以及低导通电阻（6.7mΩ @ VGS=10V），使其成为开关电源（SMPS）中同步整流、主开关及图腾柱PFC的理想选择。
关键电气参数
| VDS | 100V |
| ID | 80A |
| RDS(on) @ VGS=10V | 8.5mΩ (max) / 6.7mΩ (typ) |
| VGS(th) | 2.0~4.0V |
| Qgd | 适中 |
低Qg和Qgd有助于降低开关损耗，适合高频应用。
应用拓扑
BUCK变换器
在BUCK电路中，CJAC80SN10H可用作高边或低边MOSFET。对于12V输入、1.2V/50A输出的VRM，其低RDS(on)可显著减少导通损耗，而SGT结构优化的开关特性可抑制振铃，提高EMI性能。
BOOST变换器
在BOOST（如PFC升压）中，CJAC80SN10H作为主开关管，100V耐压可应对输出过压，80A电流能力满足大功率需求。配合图腾柱驱动，可实现高效率升压。
反激变换器
在反激拓扑中，可用作原边主开关或副边同步整流。其低RDS(on)在同步整流中可大幅降低整流损耗，提升转换效率。
栅极驱动设计
建议驱动电压VGS=10V，以确保充分导通。栅极电荷适中，需注意驱动回路寄生电感，可在栅极串联电阻（如10Ω）以控制开关速度，避免过冲。同时，VGS最大额定±20V，需确保驱动电压稳定。
热管理
PDFNWB5x6-8L封装具有低热阻（RθJC约2°C/W），建议PCB布局时增加散热铜皮和过孔。在80A连续电流下，需评估结温，必要时加装散热器或强制风冷。
采购信息
南山电子为长晶科技授权代理商，提供CJAC80SN10H现货及技术支持。可提供样品及批量供货，助力电源设计快速量产。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 80 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 6.7 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 8.5 | mΩ |
CJAC80SN10H 常见问题
Q：CJAC80SN10H 是什么器件？
A：CJAC80SN10H 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJAC80SN10H 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC80SN10H的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC80SN10H.pdf 直接下载。
Q：CJAC80SN10H 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAC80SN10H 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAC80SN10H 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAC80SN10H 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAC80SN10H 现货价格是多少？
A：CJAC80SN10H 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。