长晶JSCJ SGT MOSFET
共 98 个型号，漏源电压VDS 30~250V
按封装：
长晶JSCJ SGT MOSFET产品介绍
长晶科技（JSCJ）SGT MOSFET系列目前共有 98 个在售型号， 漏源电压VDS范围覆盖 30V 至 250V， 封装形式涵盖 dfnwb2x2-6l、dfnwb3x3-8l、pdfnwb3.3x3.3-8l、pdfnwb5x6-8l、pdfnwb5x6-8l-f 等多种规格， 适用于消费电子、通信设备、工业控制、新能源等多个应用领域。
本页面列出了长晶JSCJ全部 SGT MOSFET 型号的电气参数规格，每个型号均提供原厂数据手册（Datasheet）PDF下载。 如需选型咨询或批量报价，欢迎通过企业微信联系南山电子技术团队。