CJP04N50M1
沟槽型MOSFET TO-220-3L ✓ 量产中
高压MOSFET产品概述
CJP04N50M1是长晶科技（JSCJ）推出的500V/4A单N沟道高压MOSFET，采用成熟的平面工艺制造。器件封装为TO-220-3L，适用于高电压、中等电流的开关应用，如光伏逆变器、工业变频器及充电桩电源模块。凭借优化的设计，CJP04N50M1在高压下保持低导通电阻和稳定开关性能。
耐压裕量与可靠性
额定漏源电压VDS=500V，实际应用中建议降额使用。栅源电压VGS范围±30V，提供充足的驱动裕量。阈值电压VGSTH典型值3.0V（2.0~4.0V），有效防止误开启。平面工艺带来优异的抗浪涌能力，适合恶劣工业环境。
电气参数详解
连续漏极电流ID=4A（Tc=25°C），脉冲电流可达16A。典型导通电阻RDS(on)在VGS=10V时约1.2Ω（最大值1.5Ω），低电阻降低导通损耗。开关特性：Qg典型值15nC，快速开关减少开关损耗。无内置ESD保护，需注意栅极防护。
光伏逆变器应用
在光伏逆变器中，CJP04N50M1可用于DC-DC升压电路或逆变桥臂。500V耐压满足光伏组件高电压需求，4A电流适配中小功率MPPT模块。低导通电阻提升转换效率，平面工艺保证长期可靠性。
工业变频应用
适用于工业变频器辅助电源或小功率电机驱动。TO-220封装便于散热，耐压裕量应对电网波动。建议搭配光耦驱动，注意栅极回路避免振荡。
安全使用规范
1. 栅极驱动电压推荐10~15V，确保完全导通。2. 栅极串联电阻10~100Ω抑制振荡。3. 保证足够散热，结温不超过150°C。4. 防静电操作，避免栅极过压。5. 设计吸收电路抑制尖峰电压。
代理采购
长晶JSCJ CJP04N50M1 TO-220封装，100%原装正品。可提供样品及技术支持。批量采购请联系授权代理商，确保货源稳定。提供免费技术资料，协助设计选型。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Planar | |
| ESD | No | |
| VDS | 500 | V |
| VGS | ±30 | V |
| ID | 4 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 1200 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 1500 | mΩ |
CJP04N50M1 常见问题
Q：CJP04N50M1 是什么器件？
A：CJP04N50M1 是长晶科技（JSCJ）生产的沟槽型MOSFET，采用TO-220-3L封装。TYPE Single-N，PROCESS Planar，ESD No。
Q：CJP04N50M1 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJP04N50M1的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJP04N50M1.pdf 直接下载。
Q：CJP04N50M1 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJP04N50M1 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJP04N50M1 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJP04N50M1 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJP04N50M1 现货价格是多少？
A：CJP04N50M1 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。