CJP07N65M1E
沟槽型MOSFET TO-220-3L ✓ 量产中
产品概述
CJP07N65M1E是长晶科技（JSCJ）推出的650V/7A N沟道平面型MOSFET，采用TO-220-3L标准封装。该器件具有低导通电阻（典型值1.5Ω@VGS=10V）和稳定的开关特性，适用于中低压功率转换场景。
封装尺寸与引脚说明
TO-220-3L封装外形尺寸：主体长度10.4mm，宽度4.5mm，高度9.15mm。引脚定义（从左侧标记面看）：1脚（Gate）、2脚（Drain）、3脚（Source）。安装孔直径3.2mm，建议使用M3螺钉固定。详细尺寸图请参考官方数据手册。
热阻参数解析
热阻是评估散热能力的关键参数：
- Rth-JC（结到壳）：典型值1.25℃/W，最大值1.5℃/W。表示从芯片结到封装背面的热阻，直接影响散热片设计。
- Rth-JA（结到环境）：典型值62℃/W，取决于PCB布局和气流条件。在自然对流下，该值较高，需配合散热片使用。
最大功耗计算方法
最大功耗PD由公式PD=(Tjmax-Tc)/Rth-JC计算。假设Tjmax=150℃，Tc=25℃，则PD=(150-25)/1.25=100W。实际应用中需根据壳温降额，例如Tc=100℃时PD=40W。
散热片选型建议
推荐使用TO-220专用铝散热片，如Aavid 577002或类似型号。安装时需涂抹导热硅脂，确保接触热阻低于0.5℃/W。若需长时间满载运行，建议增加强制风冷或选用更大散热面积。
电气参数
- VDS：650V
- ID：7A（持续电流）
- RDS(on)：1.5Ω（典型值）@VGS=10V
- VGS(th)：2.0~4.0V
- Qg：典型值15nC
采购渠道
可通过长晶科技授权分销商（如南山电子）或国内电子元器件平台（华强北、淘宝企业店）采购。建议核对官方防伪标识，确保正品。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Planar | |
| ESD | No | |
| VDS | 650 | V |
| VGS | ±30 | V |
| ID | 7 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 1000 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 1500 | mΩ |
CJP07N65M1E 常见问题
Q：CJP07N65M1E 是什么器件？
A：CJP07N65M1E 是长晶科技（JSCJ）生产的沟槽型MOSFET，采用TO-220-3L封装。TYPE Single-N，PROCESS Planar，ESD No。
Q：CJP07N65M1E 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJP07N65M1E的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJP07N65M1E.pdf 直接下载。
Q：CJP07N65M1E 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJP07N65M1E 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJP07N65M1E 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJP07N65M1E 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJP07N65M1E 现货价格是多少？
A：CJP07N65M1E 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。