CJPF07N80M1
沟槽型MOSFET TO-220F-B ✓ 量产中
产品概述
CJPF07N80M1是长晶科技（JSCJ）推出的高压N沟道平面型MOSFET，采用TO-220F-B全塑封封装，具有800V漏源击穿电压和7A连续漏极电流能力。该器件专为高效率、高可靠性的开关电源应用设计，其优化的栅极电荷和低导通电阻使其在硬开关拓扑中表现出色。
VDS耐压分析
800V的VDS额定值保证了在高压母线（如380V AC整流后约540V DC）下留有充足的安全余量。平面工艺提供稳定的雪崩击穿特性，有效应对尖峰电压。实际应用中需注意电压降额，建议在最大DC母线电压不超过600V的系统中使用。
RDS(on)与导通损耗
在VGS=10V时，RDS(on)典型值为1.2Ω，最大1.8Ω，较低的导通电阻减少了传导损耗。在7A电流下，导通损耗约为I²R = 49 * 1.2 = 58.8W（典型值），实际需配合散热设计。栅极电压VGS=10V时完全导通，建议驱动电压10-15V以降低导通电阻。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压2.0-4.0V，典型3V，适合5V逻辑驱动。Qg参数未明确给出，但平面型MOSFET通常具有中等栅极电荷，需注意驱动回路设计，避免米勒平台引起的振荡。建议使用栅极电阻Rg=10-50Ω控制开关速度，兼顾EMI和效率。
热阻与功率计算
TO-220F-B封装的热阻RθJA约为60-80°C/W（取决于PCB铜箔面积），结温范围-55至150°C。在环境温度25°C时，最大允许功耗约为 (150-25)/70 = 1.79W（无散热器）。实际应用中需加装散热器，例如RθCS=1°C/W时，可处理约40W功耗。
应用推荐
- 开关电源（SMPS）中的高压功率开关
- LED照明驱动（如T8、工矿灯）
- AC-DC转换器（反激、正激拓扑）
- 高压DC-DC变换器
代理渠道
长晶科技CJPF07N80M1可通过授权代理商购买，如南山电子、华强北现货市场等。建议联系原厂或代理商获取最新价格和样片。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Planar | |
| ESD | No | |
| VDS | 800 | V |
| VGS | ±30 | V |
| ID | 7 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 1200 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 1800 | mΩ |
CJPF07N80M1 常见问题
Q：CJPF07N80M1 是什么器件？
A：CJPF07N80M1 是长晶科技（JSCJ）生产的沟槽型MOSFET，采用TO-220F-B封装。TYPE Single-N，PROCESS Planar，ESD No。
Q：CJPF07N80M1 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJPF07N80M1的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJPF07N80M1.pdf 直接下载。
Q：CJPF07N80M1 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJPF07N80M1 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJPF07N80M1 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJPF07N80M1 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJPF07N80M1 现货价格是多少？
A：CJPF07N80M1 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。