CJPF10N50M1
沟槽型MOSFET TO-220F-B ✓ 量产中
产品概述
CJPF10N50M1是长晶科技（JSCJ）推出的一款500V耐压、10A电流的N沟道平面型MOSFET，采用TO-220F-B全塑封封装，具有绝缘性好、易于安装的特点。该器件专为高效能开关电源、适配器及照明应用设计，其低导通电阻（典型值410mΩ@VGS=10V）和优化的栅极电荷提升了系统效率。
封装尺寸与引脚说明
TO-220F-B为全塑封绝缘封装，无需绝缘垫片即可直接安装散热器，简化了装配工艺。外形尺寸：主体长15.87mm，宽10.16mm，高度4.57mm。引脚排列（面对标记面）：左为栅极（G），中为漏极（D），右为源极（S）。安装孔直径3.18mm，适用于M3螺丝固定。
热阻参数解析
热阻是评估MOSFET散热能力的关键参数。CJPF10N50M1的热阻数据如下：
- 结到壳热阻（Rth-JC）： 典型值1.2℃/W，最大值1.5℃/W。该值表示从芯片到封装背面的热传递效率，用于计算理想散热条件下的结温。
- 结到环境热阻（Rth-JA）： 典型值62℃/W，该值在无散热器、自然对流条件下测得，用于评估低功耗应用或热设计裕量。
最大功耗计算方法
最大允许功耗由下式决定：
PD(max) = (TJ(max) − TC) / Rth-JC
其中TJ(max)为最大结温（通常150℃），TC为外壳温度。例如，当外壳温度TC=25℃时，最大功耗PD = (150−25)/1.2 ≈ 104W。实际应用中需根据系统散热条件降额使用。
散热片选型建议
为确保结温低于125℃，建议选择热阻≤10℃/W的散热片。例如，使用TO-220专用散热片（如Aavid 577002），在自然对流下可提供约20℃/W的热阻，配合强制风冷可进一步降低。安装时需涂抹导热硅脂，并确保散热片与封装背面紧密接触。
电气参数
- 漏源电压（VDS）：500V
- 栅源电压（VGS）：±30V
- 连续漏电流（ID）：10A（Tc=25℃）
- 导通电阻（RDS(on)）：典型值410mΩ（VGS=10V），最大值680mΩ
- 栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0~4.0V
- 输入电容（Ciss）：典型值1200pF
采购渠道
长晶CJPF10N50M1可通过授权代理商或线上平台如南山电子、华强北IC交易网购买。建议批量采购前索取样品验证热性能。库存充足，交期约4-6周。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Planar | |
| ESD | No | |
| VDS | 500 | V |
| VGS | ±30 | V |
| ID | 10 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 410 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 680 | mΩ |
CJPF10N50M1 常见问题
Q：CJPF10N50M1 是什么器件？
A：CJPF10N50M1 是长晶科技（JSCJ）生产的沟槽型MOSFET，采用TO-220F-B封装。TYPE Single-N，PROCESS Planar，ESD No。
Q：CJPF10N50M1 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJPF10N50M1的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJPF10N50M1.pdf 直接下载。
Q：CJPF10N50M1 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJPF10N50M1 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJPF10N50M1 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJPF10N50M1 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJPF10N50M1 现货价格是多少？
A：CJPF10N50M1 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。