CJU07N50M1
沟槽型MOSFET TO-252-2L ✓ 量产中
CJU07N50M1 产品概述
CJU07N50M1是长晶科技（JSCJ）推出的高压N沟道MOSFET，采用平面工艺制造，具有500V的漏源击穿电压（VDS）和7A的连续漏极电流（ID）。器件封装为TO-252-2L，适合表面贴装，典型导通电阻RDS(on)为1.1Ω（VGS=10V），最大1.3Ω。该器件适用于开关电源、AC-DC转换器、LED驱动等高压应用场景。
VDS耐压分析
VDS为500V，确保在高压母线（如380V AC整流后约540V）下具有足够的击穿裕量。平面工艺使器件具有稳定的雪崩耐量，适合电感负载开关。设计时应考虑漏源电压尖峰，建议预留20%降额。
RDS(on)与导通损耗
典型RDS(on)为1.1Ω（VGS=10V），在7A电流下导通损耗约54W（I²R），需配合良好散热。VGS=10V时导通电阻较低，建议驱动电压不低于10V以降低损耗。与同类产品相比，该参数在500V耐压级中属于中等水平，适合对成本敏感的工频或低频应用。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压（VGS(th)）为3.0~5.0V，典型值4.0V。输入电容（Ciss）约400pF，开关速度适中。栅极电荷（Qg）未明确给出，但平面工艺下通常为10~20nC。驱动设计需注意寄生振荡，建议栅极串联10Ω电阻。VGS最大额定±30V，需避免过压击穿。
热阻与功率计算
TO-252封装结到环境热阻（RθJA）约62°C/W（PCB铜箔面积1in²），结到壳热阻（RθJC）约3.5°C/W。最大功耗PD= (Tjmax - Tc)/RθJC，假设Tjmax=150°C，Tc=25°C，则PD≈35.7W。实际应用中需降额，建议壳温不超过100°C。
应用推荐
- AC-DC开关电源（反激、正激拓扑）
- LED照明驱动（高压恒流）
- 辅助电源与DC-DC转换器
代理渠道
长晶科技CJU07N50M1可通过授权代理商南山电子、华强北现货市场或原厂样品申请获取。批量采购建议联系JSCJ官网渠道。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Planar | |
| ESD | No | |
| VDS | 500 | V |
| VGS | ±30 | V |
| ID | 7 | A |
| VGSTH | 3.0~5.0 | V |
| RDSM VGS | 1100 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 1300 | mΩ |
CJU07N50M1 常见问题
Q：CJU07N50M1 是什么器件？
A：CJU07N50M1 是长晶科技（JSCJ）生产的沟槽型MOSFET，采用TO-252-2L封装。TYPE Single-N，PROCESS Planar，ESD No。
Q：CJU07N50M1 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJU07N50M1的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJU07N50M1.pdf 直接下载。
Q：CJU07N50M1 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJU07N50M1 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJU07N50M1 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJU07N50M1 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJU07N50M1 现货价格是多少？
A：CJU07N50M1 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。