CJDR1267R

产品概述

CJDR1267R是长晶科技（JSCJ）推出的一款高性能三相无刷直流（BLDC）电机门极驱动IC，专为高效、可靠的电机控制应用设计。该器件集成了栅极驱动、保护功能和逻辑控制，能够驱动外部N沟道功率MOSFET，实现精确的电机换向和速度控制。

拓扑类型与工作模式

CJDR1267R采用三相全桥驱动拓扑，支持120°和180°导通模式，可通过外部PWM信号或内部逻辑实现无传感器或带传感器的磁场定向控制（FOC）。其工作频率高达100kHz，适应高速电机应用。内置自举二极管和电荷泵，确保高侧MOSFET在宽电压范围内可靠导通。

效率与轻载性能

在典型12V输入、6A负载条件下，驱动效率可达98%。轻载时（<1A），通过自动降低开关频率和死区时间优化，可将待机功耗降低至<1mW。实测效率曲线显示，在10%负载下效率仍高于92%，显著优于同类产品。

保护功能

CJDR1267R提供全面的保护：

• 过压保护（OVP）：当VS引脚电压超过16.5V时，关断所有驱动输出。
• 过流保护（OCP）：通过外部检测电阻实现逐周期电流限制，阈值可调。
• 过热保护（OTP）：芯片结温超过150°C时自动关断，迟滞恢复。
• 欠压锁定（UVLO）：当VS低于4.5V时，输出强制为高阻态。

外围元器件选型

建议搭配10µF以上电解电容用于VS引脚滤波，添加0.1µF陶瓷电容高频去耦。自举电容推荐1µF/25V X7R陶瓷电容。栅极驱动电阻根据MOSFET栅极电荷选择10Ω-22Ω。参考设计可在长晶官网下载。

购买渠道

南山电子是长晶科技授权代理商，提供CJDR1267R原装正品，现货充足。支持小批量样品和批量供货，可提供技术支持。联系南山电子获取报价和样品。