2N7000
平面型MOSFET TO-92 ✓ 量产中
2N7000 MOSFET 器件简介
2N7000 是长晶科技（JSCJ）生产的一款N沟道增强型平面MOSFET，采用TO-92封装。其漏源击穿电压VDS为60V，连续漏极电流ID为0.2A，导通电阻RDS(on)在VGS=10V时典型值为5Ω，在VGS=4.5V时为6Ω。该器件不含ESD保护，适用于对成本敏感的电机驱动应用。
电机驱动为何选择此参数
在电机驱动中，MOSFET需承受电机启动和堵转时的浪涌电流。2N7000的60V耐压可覆盖12V/24V系统，0.2A电流能力适用于小功率直流电机（如风扇、水泵）。其低导通电阻可减少导通损耗，提升效率。平面型工艺确保开关特性稳定，适合低速PWM控制。
电气特性详解
阈值电压（VGS(th)）：0.8~3.0V，确保逻辑电平驱动（3.3V/5V）下可靠开启。导通电阻：VGS=10V时最大5Ω，VGS=4.5V时最大6Ω，低RDS(on)降低发热。输入电容（Ciss）：典型值50pF，利于高频开关。体二极管：正向电压1.5V，反向恢复时间（trr）约50ns，需注意死区时间避免贯通。
H桥/半桥应用设计要点
在H桥中，2N7000可用于低边或高边开关。由于VGS最大±20V，栅极驱动需加限流电阻和齐纳二极管保护。半桥配置中，上管需自举电路提供栅极电压。建议栅极电阻10~100Ω以控制开关速度，减少EMI。
死区时间与体二极管特性
体二极管反向恢复时间（trr）是H桥设计关键。2N7000的trr约50ns，死区时间应大于trr（建议100ns+），否则可能导致上下管直通。对于感性负载，体二极管提供续流路径，但反向恢复尖峰可能引起振荡，可并联RC吸收电路。
保护电路
建议添加：
- 栅极-源极瞬态电压抑制（TVS或齐纳二极管，VZ=12V）
- 漏极-源极RC吸收（R=10Ω，C=1nF）抑制尖峰
- 过流检测（采样电阻+比较器）
采购信息
2N7000由长晶科技（JSCJ）生产，TO-92封装，每管1000只/盒。可提供样品和批量供货，交期4-6周。如需技术咨询或购买，请联系授权分销商。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 60 | V |
| ID | 0.2 | A |
| VGSTH | 0.8~3.0 | V |
| RDSM VGS | 5000 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 6000 | mΩ |
2N7000 常见问题
Q：2N7000 是什么器件？
A：2N7000 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用TO-92封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：2N7000 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取2N7000的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/2N7000.pdf 直接下载。
Q：2N7000 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 2N7000 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：2N7000 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：2N7000 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：2N7000 现货价格是多少？
A：2N7000 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。