2N7002W
平面型MOSFET SOT-323 ✓ 量产中
产品概述
2N7002W是长晶科技（JSCJ）推出的一款N沟道平面型MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，封装为SOT-323。该器件具有60V的漏源击穿电压（VDS）和115mA的连续漏极电流（ID），导通电阻RDS(on)典型值为900mΩ（VGS=10V）。适用于低压电源管理、负载开关、信号开关等应用场景。
VDS耐压分析
2N7002W的漏源击穿电压VDS为60V，能够承受高达60V的电压应力，适合在48V及以下电压轨的系统中使用。其雪崩能量等级确保在非钳位感性开关（UIS）条件下具有足够的鲁棒性，适用于需要一定耐压余量的设计。
RDS(on)与导通损耗
在VGS=10V时，RDS(on)典型值为900mΩ，最大值为5Ω（VGS=4.5V）。较低的导通电阻有助于降低传导损耗，特别是在小电流应用中。例如，在ID=100mA时，导通损耗约为P=I²R=0.01*0.9=9mW，对于SOT-323封装而言热性能可接受。
开关特性与栅极驱动
该器件栅极阈值电压VGSTH为1.0~2.5V，逻辑电平即可完全驱动。栅极电荷Qg较低（典型值<1nC），有助于实现快速开关，减少开关损耗。栅极电压VGS最大额定值为±20V，设计时需注意驱动电压不超过此限。
热阻与功率计算
SOT-323封装的结到环境热阻RθJA约为500°C/W（典型值，取决于PCB布局）。在环境温度25°C下，最大允许功耗PD约为0.25W。实际应用中需根据工作电流和占空比进行热校核，确保结温不超过150°C。
应用推荐
- 低压DC-DC转换器中的同步整流或负载开关
- 电池保护电路中的充放电开关
- 信号切换和模拟开关
- 小功率电机驱动
代理渠道
长晶科技（JSCJ）2N7002W可通过授权代理商购买，例如华强北电子市场、南山电子电子等均有现货。建议批量采购时联系原厂或一级代理以获取最佳价格和技术支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 60 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | 0.115 | A |
| VGSTH | 1.0~2.5 | V |
| RDSM VGS | 900 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 5000 |
2N7002W 常见问题
Q：2N7002W 是什么器件？
A：2N7002W 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOT-323封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：2N7002W 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取2N7002W的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/2N7002W.pdf 直接下载。
Q：2N7002W 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 2N7002W 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：2N7002W 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：2N7002W 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：2N7002W 现货价格是多少？
A：2N7002W 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。