2N7002KW
平面型MOSFET SOT-323 ✓ 量产中
器件简介
2N7002KW是长晶科技（JSCJ）推出的60V/340mA N沟道增强型平面MOSFET，采用先进的Trench工艺，封装为SOT-323。器件内置ESD保护，阈值电压1.0~2.5V，适用于低压电机驱动中的开关应用。
电机驱动为何选择此参数
电机驱动（如H桥、半桥、三相逆变器）要求MOSFET具有低导通电阻、快速开关特性以及良好的体二极管反向恢复性能。2N7002KW的VDS=60V，ID=340mA，适合24V及以下低压电机。其低RDS(on)（在VGS=4.5V时典型值约900mΩ）可减少导通损耗。Trench工艺提供了更快的开关速度，降低开关损耗。
电气特性详解
- 漏源电压VDS：60V，留有安全裕量。
- 栅源电压VGS：±20V，兼容3.3V/5V逻辑电平。
- 连续漏极电流ID：340mA，满足小型电机电流需求。
- 阈值电压VGS(th)：1.0~2.5V，确保低电压驱动。
- 导通电阻RDS(on)：在VGS=4.5V时典型值900mΩ；VGS=10V时2.5Ω；VGS=2.5V时1.1Ω；VGS=1.8V时3.0Ω。
H桥/半桥应用设计要点
在H桥或半桥拓扑中，上下管交替导通。2N7002KW的VGS(th)较低，可直接由微控制器GPIO驱动。需注意死区时间设置，避免直通。器件体二极管反向恢复时间短，有助于减少死区期间的损耗。
死区时间与体二极管特性
死区时间用于防止上下管同时导通。2N7002KW的体二极管具有快速反向恢复特性（典型trr<100ns），降低了死区期间的二极管反向恢复损耗和振铃。设计时建议死区时间设置为100~200ns。
保护电路
建议在栅极串联10~100Ω电阻以限制充放电电流，并在栅源之间并联10kΩ电阻以防浮空。由于器件内置ESD保护，可耐受一定静电放电，但仍需注意ESD防护。
采购信息
2N7002KW由长晶科技生产，封装SOT-323，卷带包装。可通过授权代理商或线上平台采购，批量价格优惠。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | 60 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | 0.34 | A |
| VGSTH | 1.0~2.5 | V |
| RDSM VGS | 900 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 2500 | |
| RDSM VGS 11 | 1100 | |
| RDSM VGS 12 | 3000 | mΩ |
2N7002KW 常见问题
Q：2N7002KW 是什么器件？
A：2N7002KW 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOT-323封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：2N7002KW 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取2N7002KW的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/2N7002KW.pdf 直接下载。
Q：2N7002KW 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 2N7002KW 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：2N7002KW 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：2N7002KW 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：2N7002KW 现货价格是多少？
A：2N7002KW 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。