CJAB2R8SN03AL
SGT MOSFET PDFNWB3.3x3.3-8L ✓ 量产中
产品概述
CJAB2R8SN03AL是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（屏蔽栅沟槽）N沟道MOSFET，采用PDFNWB3.3x3.3-8L封装，具有30V漏源电压和90A连续漏极电流能力。其典型导通电阻低至2.8mΩ（@Vgs=10V），适合高效率电源转换应用。器件不含ESD保护，设计时需注意静电防护。
封装尺寸与引脚说明
PDFNWB3.3x3.3-8L是一种无引线、底部散热的小型封装，外形尺寸3.3mm×3.3mm，高度约0.75mm。引脚配置：1-3脚为源极（S），4脚为栅极（G），5-8脚为漏极（D）。底部裸露焊盘与漏极相连，提供高效散热路径。建议PCB布局时，在漏极焊盘下方铺设铜箔和过孔阵列以增强散热。
热阻参数解析
热阻是评估MOSFET散热能力的关键参数：
- Rth-JC（结到外壳）：典型值2.5℃/W，表示芯片到封装背面的热阻，用于计算散热片需求。
- Rth-JA（结到环境）：典型值60℃/W（无散热片、自然对流），该值随PCB铜面积和风速变化。实际应用中需根据PCB设计调整。
最大功耗计算方法
最大功耗PD = (TJ,max - TC) / Rth-JC，其中TJ,max=150℃（数据手册值），TC为外壳温度。例如，若外壳温度85℃，则PD = (150-85)/2.5 = 26W。实际设计需降额使用，确保结温不超过125℃以提高可靠性。
散热片选型建议
当功耗超过2W时建议使用散热片。选择散热片时需关注：
- 热阻Rth-SA满足：Rth-SA ≤ (TJ,max - TA) / PD - Rth-JC - Rth-CS（Rth-CS为接触热阻，约0.5℃/W）。
- 考虑安装方式：推荐使用导热硅脂或导热垫片，并确保散热片与封装背面紧密贴合。
- 若自然对流不足，可增加强制风冷以降低热阻。
电气参数
主要电气特性（25℃典型值）：
- VDS=30V，VGS=±20V
- 连续漏极电流ID=90A（Tc=25℃），脉冲电流IDM=360A
- 导通电阻RDS(on)：2.4mΩ@VGS=10V，2.8mΩ@VGS=10V（最大值），3.5mΩ@VGS=4.5V
- 阈值电压VGS(th)=1.1~1.9V
- 输入电容Ciss≈1800pF，栅极电荷Qg≈25nC
采购渠道
长晶CJAB2R8SN03AL可通过以下渠道采购：
- 官方代理商：列表见JSCJ官网
- 在线平台：南山电子等
- 样品申请：联系长晶或代理商获取免费样品
建议批量采购时确认批次和RoHS/REACH合规证书。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 30 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 90 | A |
| VGSTH | 1.1~1.9 | V |
| RDSM VGS | 2.4 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 2.8 | mΩ |
| RDSM VGS 11 | 2.9 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 3.5 | mΩ |
CJAB2R8SN03AL 常见问题
Q：CJAB2R8SN03AL 是什么器件？
A：CJAB2R8SN03AL 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB3.3x3.3-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJAB2R8SN03AL 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAB2R8SN03AL的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAB2R8SN03AL.pdf 直接下载。
Q：CJAB2R8SN03AL 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAB2R8SN03AL 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAB2R8SN03AL 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAB2R8SN03AL 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAB2R8SN03AL 现货价格是多少？
A：CJAB2R8SN03AL 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。