CJAB3R9SN04C
SGT MOSFET PDFNWB3.3x3.3-8L ✓ 量产中
产品概述
CJAB3R9SN04C是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（屏蔽栅沟槽）工艺N沟道MOSFET，采用小型化PDFNWB3.3x3.3-8L封装。其漏源电压VDS=40V，连续漏极电流ID=70A，导通电阻典型值低至3.9mΩ（VGS=10V），适合高密度电源转换和电池管理应用。该器件无ESD保护功能，需在电路设计中额外考虑ESD防护。
封装尺寸与引脚说明
PDFNWB3.3x3.3-8L封装尺寸为3.3mm×3.3mm，厚度约0.75mm，8引脚设计，底部带散热焊盘。引脚1为栅极（G），引脚2-7为源极（S），引脚8为漏极（D），散热焊盘与漏极电气连接。建议PCB设计时在散热焊盘下方放置多个过孔以增强导热，焊盘尺寸至少为2.5mm×2.5mm。
热阻参数解析
热阻是MOSFET散热性能的关键指标：
- Rth-JC（结到外壳）：典型值2.5°C/W，表示热量从芯片结传递到封装外壳的热阻，用于评估散热片效果。
- Rth-JA（结到环境）：典型值65°C/W（无散热器），反映自然对流下的散热能力，依赖PCB铜箔面积和气流。
最大功耗计算方法
最大允许功耗P_D由最高结温T_j,max（通常150°C）、环境温度T_A和热阻决定：
P_D = (T_j,max - T_A) / Rth-JA
例如，在T_A=25°C时，P_D = (150-25)/65 ≈ 1.92W。若使用散热器且Rth-JA降至10°C/W，则P_D可达12.5W。实际设计需根据系统散热条件计算。
散热片选型建议
当功耗超过1.92W时推荐加装散热片。选择原则：
- 散热片热阻Rth-HS需满足：Rth-JC + Rth-CS（接触热阻）+ Rth-HS ≤ (T_j,max - T_A)/P_D
- 推荐使用铝制贴片散热片，尺寸≥10mm×10mm，通过导热硅脂或导热胶带固定。
- PCB背面可增加铜箔面积并设计过孔阵列以降低Rth-JA。
电气参数
| 参数 | 条件 | 典型值 |
|---|---|---|
| VDS | - | 40V |
| ID | TC=25°C | 70A |
| RDS(ON) | VGS=10V | 3.9mΩ |
| VGS(th) | ID=250μA | 1.0~2.5V |
| Qg | VGS=10V | 典型值请参考数据表 |
注意：导通电阻随温度升高而增加，高温下需降额使用。
采购渠道
可通过长晶科技官方代理商、南山电子等平台采购。批量采购建议联系JSCJ销售团队获取样品和技术支持。注意核对封装型号PDFNWB3.3x3.3-8L，避免与类似封装混淆。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 40 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 70 | A |
| VGSTH | 1.0~2.5 | V |
| RDSM VGS | 3 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 3.9 | mΩ |
| RDSM VGS 11 | 4.3 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 6.5 | mΩ |
CJAB3R9SN04C 常见问题
Q：CJAB3R9SN04C 是什么器件？
A：CJAB3R9SN04C 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB3.3x3.3-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJAB3R9SN04C 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAB3R9SN04C的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAB3R9SN04C.pdf 直接下载。
Q：CJAB3R9SN04C 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAB3R9SN04C 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAB3R9SN04C 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAB3R9SN04C 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAB3R9SN04C 现货价格是多少？
A：CJAB3R9SN04C 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。