CJAB6R0SN04AL

SGT MOSFET PDFNWB3.3x3.3-8L ✓ 量产中

一、产品定位

CJAB6R0SN04AL是长晶科技(JSCJ)推出的一款40V/90A SGT(Shield Gate Trench)N沟道MOSFET,采用紧凑的PDFNWB3.3x3.3-8L封装,典型导通电阻(RDS(on))低至4.1mΩ(VGS=10V),专为低压大电流应用设计,是DC-DC转换器、电池管理及电机驱动等领域的理想选择。

二、选型维度解析

1. 耐压(VDS)与电流(ID)

VDS=40V,满足12V/24V系统常见电压需求,留有安全余量;ID=90A(连续电流),在散热良好时可承载大电流。选型时需根据实际峰值电流和热环境评估。

2. 导通电阻(RDS(on))

RDS(on)随栅压变化:VGS=4.5V时10mΩ,10V时5.5mΩ,4.1mΩ(典型值)。低压驱动(如3.3V逻辑)时导通电阻较高,建议VGS≥10V以发挥低阻优势。

3. 封装

PDFNWB3.3x3.3-8L为无引脚贴片封装,热阻低(RθJA约40°C/W),适合高密度PCB布局。相比DPAK等体积更小,但需注意散热铜箔设计。

三、CJAB6R0SN04AL的优势

  • 低导通电阻:典型4.1mΩ(10V)减少导通损耗,提升效率。
  • SGT工艺:降低栅极电荷(Qg),实现快速开关,适合高频应用。
  • 紧凑封装:3.3x3.3mm²节省空间,适合小型化设计。
  • 宽VGS范围:±20V,兼容多种驱动电压。

四、典型应用推荐

  • DC-DC转换器:同步降压或升压拓扑,利用低RDS(on)提高转换效率。
  • 电池保护电路:作为充放电开关,低阻值减少压降。
  • 电机驱动:如直流有刷电机H桥,承受频繁开关和浪涌电流。

五、同系列型号对比

型号VDS (V)ID (A)RDS(on)@10V (mΩ)封装
CJAB6R0SN04AL40905.5 (typ 4.1)PDFNWB3.3x3.3-8L
CJAB4R0SN04AL401004.0 (typ 3.0)相同
CJAB8R0SN04AL40808.0 (typ 6.5)相同

CJAB6R0SN04AL在导通电阻和电流间取得平衡,适用于多数通用场景。若追求更低RDS(on)可选CJAB4R0SN04AL,但成本略高;若成本敏感可选用CJAB8R0SN04AL。

六、南山电子选型支持

南山电子作为长晶科技授权代理商,提供CJAB6R0SN04AL样品、技术资料及选型建议。工程师可联系获取详细数据手册、热仿真模型及参考设计。我们提供免费样品申请,助力快速验证。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSSGT
ESDNo
VDS40V
VGS±20V
ID90A
VGSTH1.5~2.5V
RDSM VGS4.1
RDSM VGS 105.5
RDSM VGS 117.3
RDSM VGS 1210

CJAB6R0SN04AL 常见问题

Q:CJAB6R0SN04AL 是什么器件?
A:CJAB6R0SN04AL 是长晶科技(JSCJ)生产的SGT MOSFET,采用PDFNWB3.3x3.3-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS SGT,ESD No。
Q:CJAB6R0SN04AL 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAB6R0SN04AL的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAB6R0SN04AL.pdf 直接下载。
Q:CJAB6R0SN04AL 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJAB6R0SN04AL 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJAB6R0SN04AL 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJAB6R0SN04AL 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJAB6R0SN04AL 现货价格是多少?
A:CJAB6R0SN04AL 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。